氮化镓材料相关论文
光开关是光通信系统的光交换节点中必不可少的一部分，此外光开关也是作为基本器件以组成各种光逻辑门。光开关有多种类型，其中电光开......
Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评......
第三代宽禁带半导体材料—氮化镓(GaN)由于具有优异的物理、化学和电学特性，因而受到科研人员的极大关注，其非常适合于制作高压、高......
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备基于氮化镓(GaN)材料的蓝、紫光发光二极管、半导体激光器以及高频大功率微电子器件的主要方法......
InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)太阳能电池是一种新型的太阳能电池。通过改变In组分,InGaN的禁带宽度可以实现从0.7eV到3.4eV的......
本文主要设计基于氮化镓高电子迁移率晶体管的X波段微波单片低噪声放大器,首先简单介绍了氮化镓材料、器件的优势及氮化镓微波单片......
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率等优良特性,在功率半导体应用领域具有得天独厚的优势。同时,基于GaN材料的异......
近年来，随着无线通信系统的飞速发展，无线通信技术在民用领域和军用领域的应用越来越广泛。微波功率放大器作为无线通信系统的重要组......
氮化镓（GaN）材料具有直接宽带隙、良好热稳定性和化学稳定性,在发光二极管、激光器、探测器、高电子迁移率晶体管等器件上有重要的应......
Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料.本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹......
发光二极管LED (Light Emitting Diode)具有光电转换效率高、使用寿命长、容易集成、驱动电压低等一系列优点,被广泛应用于各个领......
<正>氮化镓(Gallium Nitride,Ga N)基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料,被称为第3代半导体材料。氮化镓材料由......
<正>因从智能手机、电脑屏幕以及随处可见的蓝色发光二极管(LED)认识到其发明能潜在地减少全球的电力消耗,2014年诺贝尔物理学奖授......
提出并设计了一种用于硅基氮化镓（Ga N）可调微镜的静电梳齿型微驱动器。利用有限元软件建立了该器件的几何结构模型,对器件的结构进......
作为第三代半导体材料的代表，氮化镓基半导体材料是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件，不仅带来了IT行业数字化存储技术的革命......
氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高，具有更高的电子饱和......
