电阻转变相关论文
随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器（RRAM）器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存......
目前,传统计算机的构架是冯诺依曼结构,其特点是计算与存储是分开的。然而,冯诺依曼结构的低效已经成为阻碍人工智能和机器学习发......
近年来,纳米尺寸的铁磁金属薄膜和多铁复合薄膜倍受关注。本论文制备出了不同厚度的超薄Fe70Ga30(Fe-Ga)和Fe65Co35(Fe-Co)纳米薄......
二维材料是从某些层状结构块体材料分离出来或其他方法制备的单原子（分子）或几个原子（分子）层,它们具有不同于同种块体材料的诸多新性......
学位
目前,阻变随机存储器(RRAM)因为其优良的非易失性吸引了学术界的广泛关注,它不仅有很好的尺寸缩减潜力,还具有高密度、低能耗、高......
阻变存储器是近十多年来备受关注的一种新型非易失性存储器,作为新二代非易失性存储器的候选者,它所表现出来的存储潜力远远超过其......
利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.......
期刊
采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变......
从二维系统的Kosterlitz-Thouless(KT)相变理论出发,在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度,提出了修正的KT相变模型.该模型与库......
将Tl2Ba2CaCu2O8(TBCCO)高温超导薄膜通过磁控溅射的方法沉积到LaAlO3(LAO)衬底上,SEM和XRD的测量结果显示该超导薄膜具有很高的成......
采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试......
提出了从高温超导体电阻转变曲线中直接计算热激活能的一个新方法，利用提出的方法重新分析了Y-123单晶超导体的电阻转变曲线。结果......
利用标准的四引线方法研究了磁场平行和垂直于YBCO/MgO超导薄膜表面时的电阻转变.另外,本文采用微带谐振技术研究了该超导薄膜的微......
柔性阻变存储器具有可弯曲/拉伸、储密度高、读写速度快、功耗低、结构简单等优势,被认为是在可穿戴设备、消费电子、航天等领域最......
随着信息社会的发展,人们对存储器(Memory)提出了愈加高的要求。目前在市场上依旧占据主流地位的闪存(FlashMemory)在存储容量(Cap......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
继传统的氧化物半导体、铁磁体、传感器等的广泛应用，近年来氧化物超导、巨磁阻材料、多铁性材料及其光伏材料等层出不穷，基于氧化物......
报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗......
阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储......
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及......
随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器......
<正>一、电致电阻效应的发现与应用前景在简单的金属/金属氧化物/金属三明治结构中,研究发现施加电压能够改变器件的电阻,而且这种......
多铁的磁电复合薄膜能够通过铁电相和铁磁相之间的耦合作用产生磁电效应,在传感器、信息存储器件、自旋电子器件等新型多功能器件......
