直流反应溅射相关论文
采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最......
ZrO2薄膜是最早受到关注的无机EL绝缘薄膜之一.采用脉冲反应溅射法及O2含量为9-80％范围内制备了厚度为280-450nm的ZrO2薄膜,用MIM结......
采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影......
在室温,不同氧分压条件下,采用Zn靶直流反应溅射在石英衬底上制备了具有纤锌矿结构(002)择优取向的ZnO薄膜。薄膜的生长速率随氧分......
以制备出性能优异成本低廉的低辐射镀膜玻璃为目的．通过直流磁控反应溅射技术在玻璃（或单晶硅）表面制备（Al，Ti）N薄膜作为低辐射镀膜玻璃......
通过实验讨论了影响直流反应溅射Ａｌ２Ｏ３薄膜质量的几个因素，得到了直流反射溅射Ａｌ２Ｏ３薄膜的最佳方案，并发现对于不同距离的基片，溅射的Ａｌ２Ｏ３薄膜与Ｓｉ界面......
用直流反应溅射沉积AlN－Si3N4膜。通过红外吸收光谱和X射线衍射来验证薄膜的结构。通过各种测量，给出了吸收系数、电阻率、应力、硬......
采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影......
本文对直流反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析，探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能......
用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系.用X射线衍射分析薄膜结构,随......
通过选取室温、100℃、200℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响。实验结果表明：当基片温度由......
报道了用直流反应溅射法在低氧分压条件下(6．0×10^-3～8．0×10^-3Pa)沉积ZrO2介质膜的制备工艺，XRD分析表明该条件下制备的zd0......
采用直流反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备出了Y2O3隔离层，并研究了基带温度与H2O分压两个因素对Y2O3薄膜的织构取向以......
采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5％W基底上快速沉积了Y2O3种子层，随后外延生长GdxZr1-xO（x=0．5，0．1）和YSZ三种阻挡层。研究表明，Y......
通过磁控反应溅射,在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜。通过对其光电性能的分析测试,探讨了溅射温度对氧化钛薄膜性能......
<正> 在半导体技术中,制造晶体管和大规模集成电路时,用Al2O3绝缘膜作为钝化膜已越来越普遍,特别是在制造绝缘栅场效应晶体管,如MA......
采用直流反应溅射法，在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分，优选Ar：O2—8：1成功研制出高响应度n-ZnO／p-Si紫外至近红外增强......
我们分别通过直流反应溅射及脉冲激光淀积法制备了ZnO多晶薄膜.X射线衍射结果显示出薄膜的c轴取向.原子力显微镜证实薄膜的多晶结......
随着超大规模集成电路（VLSI）的发展，晶体管尺寸越来越小，传统的栅介质SiO2不能满足下一代器件栅介质的需求，研发高k介质代替SiO2栅介质......
