采用扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),Raman光谱和X射线光电谱(XPS)研究了硼氧离子共注入对金刚石薄膜微结构的影响.结果表明,硼......

高质量低电阻率n型金刚石薄膜的制备是世界性难题，是制约金刚石在电子工业中应用的重要因素。本文采用硼氧离子共注入掺杂金刚石薄......

采用改进了的MEVVA源阴极对H13钢进行了C+Mo共注入,并做了X射线衍射分析、电化学测量和表面形貌分析.实验结果表明,C+Mo共注入后H1......

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子经面对面优化退火后，光致发光谱中观测到对应Ｅｒ＾３＋第一激发态到基态，＾４Ｉ１３／２－＾４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ增强１０倍......