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随着3D堆叠技术的不断发展，芯片测试已成为一大研究热点。为了减少三维堆叠集成电路（three dimensional stacked integrated circuit......
过硅通孔技术，提供了高密度、低延时和低功耗的垂直互连，芯片在三维方向堆叠的密度大、互连线短，从而使三维堆叠芯片成为可能。文章介......
提出了一种基于分层结构的内建自测试（BIST）设计方法—3DC-BIST（3D Circuit-BIST）。根据3D芯片的绑定前测试和绑定后测试阶段,针对3D芯......
三维集成电路通过硅通孔技术将竖直方向堆叠的多层裸片进行连接,不仅提高了芯片的集成密度,还拥有高带宽、低功耗以及异构集成等优......
硅通孔基础上的三维集成电路在半导体行业使用范围逐渐扩大.和二维集成电路比,三维电路拥有功耗低,面积小和宽带高等这些优点.但是......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
硅通孔（TSV）的电阻开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的良率和可靠性, 为在制造流中尽早排除故障TSV, 提出一种基于环形振荡器的......
基于硅通孔(Through-Silicon Via, TSV)的三维集成电路极大地推动了集成电路行业的发展。与传统的二维集成电路不同,三维集成电路......
基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的三维集成电路(Three dimensional integrated circuit,3D IC)引起了半导体行业越来越多的......
