边缘电场效应相关论文
微型化始终是当代科学技术发展的重要方向。随着微电子技术的发展，基于MEMS（微机械系统）技术的微传感器、微执行器得到了快速发展，在其......
基于MEMS(微机电系统)技术的微传感器、微执行器得到了快速发展,在其各种驱动方式中,静电驱动占有重要地位。Pull-in现象是静电驱......
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,......
用Matlab软件模拟了AIFF MVA模式液晶显示器光学透过率的电极尺寸效应.首先模拟了盒内电场分布,然后由盒内电场分布计算模拟液晶盒......
鉴于市场应用的油中水含量检测方法和仪器的不足,设计了一种基于边缘电场效应和PCB技术的水含量测量仪。仪器由检测探头、探头电容......
电场分布是影响集成电光器件特性的主要因素。本丈研究了有限尺寸平行电极的电场分布，得到了其电荷分布密度、电容、电场强度的数学......
MOS器件（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET）的特征尺寸已经降到32nm以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极......
液晶在1888年被奥地利植物学家发现以后,已经从一个纯粹的科学研究对象发展成为一个欣欣向荣的产业。液晶电视也由于具有清晰度高......
随着MOSFET器件尺寸的成比例缩小,栅氧化层的厚度也不断的减小,泄漏电流成为低功耗和便携用非易失性存储器及CMOS逻辑电路所面临的......
