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本文第一部分工作对单层二硒化钨（tungsten disulfide,WSe2）中的缺陷,包括本征缺陷与非本征缺陷,进行了系统表征。选择机械剥离（mecha......
黑磷是一种单元素二维层状半导体材料,具有p型导电占主导的双极导电特性,室温下空穴场效应迁移率达1000 cm2/V×s,远大于二硫化钼......
随着互补金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小,Si基MOS器件的发展达到了其物理极限,新的沟道材料,如应力Si、应力SiGe合......
随着半导体器件尺寸不断缩小,通过等比例缩小器件尺寸来提高器件性能的方法即将接近极限。因此,众多研究致力于发展新型器件结构来......
MOS器件（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET）的特征尺寸已经降到32nm以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极......
