通态压降相关论文
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
随着电力电子技术的飞速发展,电力电子系统已经被普遍应用于多个领域,如:新能源发电、电动汽车、船舶制造、航空航天。在这些领域......
摘 要：功率晶闸管使用寿命与其工作温度密切相关，本文就对功率晶闸管通态压降和结温的关系进行了研究，并设计出了测试功率晶闸管的热......
以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善SIT......
功率晶体管(GTR)和绝缘门极晶体管(IGBT)具有控制方便、开关时间短、高频特性好、通态压降较低的特点,在变频调速和数字控制(如数......
本文针对PIN型整流管模型，全面优化了整流管设计制造过程，成功研制了世界上先进的ZP6000A/8500V特高压整流管。......
提出了一种新型SiGe/Si异质结P-i-N开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性.结果表明,该功率......
在功率器件组合式绝缘栅双极型晶体管（CIGBT）的集电区采用条纹集电极结构，设计出一款3-3kV／800A条纹集电极CIGBT。根据条纹集电极CIGBT......
利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变......
在建立GCT器件模型的基础上，研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明，缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量是决定......
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引......
介绍了非对称型门极换流晶闸管的P基区结构.在建立门极换流晶闸管器件模型基础上,利用MEDICI软件分析了P基区结构对门极换流晶闸管......
介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理，在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计，并对其动态特性进行了模拟。与......
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用......
期刊
槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBD的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善......
在直流固态断路器的实际应用中发现,其通态压降将对低压直流配电网的系统潮流产生不可忽略的影响。因此,文中对考虑直流固态断路器......
在半导体器件的后部封装工艺中,不同的压焊方式会导致不同的铝丝和肖特基结接触面积,从而导致不同的接触电阻,最终影响肖特基器件......
阐述了关于协调ＩＧＢＴ通态压降和关断时间的最佳关系。在工艺过程中，控制双极晶体管电流增益αｐｎｐ的最佳值，就可调整通态和关断特性的相互关系......
本文对目前在电力电子技术中广泛使用的IGBT驱动模块EXB841的使用方法进行了改进,克服了EXB841本身的缺陷,提高了保护的可靠性和延......
功率半导体器件作为电力电子技术的核心单元,是此项技术的研究热点。CI GBT (Clustered Insulated Gate Bipolar Transistor)是一......
SiGe二极管(p~+(SiGe)-n~--n~+)作为SiGe／Si异质结材料系统研究的一个分支，由于具有显著改善原有Si PiN二极管性能并且较好兼容于Si......
学位
随着电力电子技术应用的深入，尤其是主开关器件工作频率的不断提高，对功率二极管性能提出了更高的要求，多年来硅P-i-N二极管一直在这......
学位
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT......
