钛酸锶铅相关论文
采用化学共沉淀法制备(Sr,Pb)TiO3粉末,分析了共沉淀产物的热分解过程,确定了结晶温度,同时,标定了材料的晶体结构并计算了晶胞参数,得出了(Sr,Pb)TiO3铁电体的......
以液相合成的(SrPb)TiO3为主要原料,分别以Y2O3,La2O3和Bi2O3为掺杂剂制备样品,讨论了每种掺杂对材料的V型PTC热敏特性及微观形貌的影响,确定了每种掺杂剂的最佳掺量......
采用超声化学法方便地制得了Sr1-xPbxTiO3(SPT)纳米粉末。高强度的超声作用促使了SPT纳米颗粒的快速形成。通过控制Sr2+和Pb2+的摩......
利用溶胶凝胶工艺配制了钛酸锶铅(Pb0.3Sr0.7TiO3)溶胶,将其密封到三角瓶中,置于超声仪中进行超声处理,超声时间分别为0,3,5,8,12 ......
该文采用化学共沉淀法合成了一系列(SrPb)TiO陶瓷粉体,并进一步烧结制备了系列(SrPb)TiO均质与(Sr,Pb)TiO梯度介电功能陶瓷材料.利......
由于其居里温度随Pb/Sr比在较宽温度范围内可调、结晶温度低、高介电常数、损耗较低和电学性能晶粒尺寸效应小等优越性,钛酸锶铅((P......
铁电材料具有优良的介电、压电、铁电、热释电、电光、声光及非线性极化等特性,在多种领域有着广泛的用途。利用其非线性极化特性能......
微波可调介电材料在微波可调元器件上有着广阔的应用背景,如相控阵天线上的移相器,谐振器,滤波器等。就研究体系而言,目前主要集中......
结合高压陶瓷电容器对陶瓷材料高介电常数、低介电损耗、高耐压强度以及良好的温度稳定特性的要求,本工作选择(Sr,Pb)TiO3和(Ba,Sr......
AB03型钙钛矿结构铁电薄膜由于具有独特的介电、压电、热释电及铁电性能,在很多领域中有着广泛的应用前景。(Pb,Sr)TiO3(PST)铁电......
PbxSr1-xTiO3(PST)作为一种典型的铁电材料,被广泛应用于制造可调滤波器、移相器、电容器等。本文在朗道-金兹堡-德文希尔唯象理论......
铁电薄膜因优良的介电、压电和光学等性能,可应用于诸多电子和光学器件中而受到广泛关注。制备铁电薄膜有很多方法,其中溶胶—凝胶(So......
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3 V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响.结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长......
采用化学共沉淀法经前驱体草酸氧钛锶铅制得钛酸锶铅粉末。在分析前驱体的形成机理及热分解机理的基础上,采用XRD、SEM、DTA、EPMA等现代分析手段......
用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb)......
用自燃烧法合成了单相(Sr,Pb)TiO3,用TG、DTA、XRD、TEM等手段分析了干凝胶自燃烧的反应过程,测量了粉末的晶粒尺寸.测试了(Sr,Pb)......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
目的 研究锶铅比对(Sr,Pb)TiO3材料性能的影响.方法 在溶胶一凝胶法中,采用在一定的掺杂浓度下,通过改变不同的锶铅比来进行研究.......
采用溶胶 凝胶法成功地合成了 (Sr ,Pb)TiO3 纳米晶粉 ,并利用FTIR技术对凝胶的形成过程及 3 5 0℃ ,1.5h煅烧获得的粉体材料进行......
在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法,计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTi03(PST)固......
用自燃烧法合成了/单相(Sr,Pb)TiO3,用TG、DTA、XRD、TEM等手段分析了干凝胶自燃烧的反应过程,测量了粉末的晶粒尺寸,测试了(Sr,Pb)TiO3的居里温度。结果表明,自燃烧法合成......
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钛酸锶铅(PST)薄膜是一类重要的铁电薄膜材料。采用溶胶一凝胶法在硅(100)衬底上制备了钛酸锶铅薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜......
研究了半导化元素和第二相添加剂SiO2对PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷材料电学性能的影响。结果表明,Y和SiO2的含量对的半导化性能影响显著,它们的较珠含量(摩尔分数)分......
用溶胶-凝胶法制取了钇(Y)掺杂剂溶胶。利用Y溶胶添加剂对钛酸锶铅V型正温度系数材料进行了半导体。为便于比较,制备了具有不同含量Y溶胶添......
采用磁控溅射技术在Si基底上制备了(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电薄膜,采用双极性、双脉冲方波电压测试了其极化反转特性。测试结果表明,......
采用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介......
采用溶胶-凝胶法制备了具有不同锶铅配比的钛酸锶铅粉末(Pb,Sr1-xTiO3,X=0.4,0.5,0.6).样品在900℃的温度下进行了退火.用X射线衍射(XRD)研究了......
采用正交试验法,研究了烧结温度、保湿时间、升温制度及降温方式对(SrPb)TiO3基陶瓷热敏特性的影响。指出,烧结温度是影响材料最低电阻率的主要......
采用Sol~Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电......
采用化学共沉淀法经前驱体草酸氧钛锶铅制得钛酸锶铅粉末。在分析前驱体的形成机理及热分解机理的基础上,采用XRD、SEM、DTA、EPMA等现代分析手段......
采用溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的......
研究了添加剂BN对(Sr0.4Pb0.6)TiO3V型PTCR陶瓷材料电性能和显微结构的影响,试验结果表明,BN含量在0.1% ̄0.4%范围内可以改善材料的显微结构,降低室温电阻率和烧结温度,从而......
采用溶胶-凝胶法成功地合成了(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉,并利用FTIR技术对凝胶的形成过程及350℃,1.5h煅烧获得的粉体材料进行了表征。实验以......
本文研究了(Sr,Pb)TiO3系V型PTC材料的制备及导电机理。指出该材料的PTC效应仍起源于受主态在晶界形成的势垒,其强烈的NTC效应则是由于载流子的生成能和迁......
以液相合成的(SrPb)TiO3为主要原料,分别以Y2O3,LaO3和Bi2O3为掺杂剂制备样品,讨论了每种掺杂对材料的V型PTC热敏特性及微观形貌的影响,确定了每种掺杂剂的最佳掺量......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它......
研究了Pb含量对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x<0.45时,c/a≈1,晶体为立方顺电相;x≥0.45时,c/a>1,晶体为四方铁电相;随......
应用草酸盐共沉淀法制备(Sr,Pb)TiO3超细粉体,分析了共学淀产物的热分解过程,确定了昌化温度和煅烧条件,同时,测量了粉示的晶粒尺寸,标定了材料的晶......
通过化学工艺制备(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷,首次获得了与BaTiO3陶瓷相类似的典型PTC特性,样品耐压强度大,室温电阻率低于10^2Ω.cm,升阻比高达10^6.33,烧结温度可以降低至1100℃以......
在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法,计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTiO3(PST)固溶体......
采用超声化学法方便地制得了Sr1-xPbxTiO3(SPT)纳米粉末。高强度的超声作用促使了SPT纳米颗粒的快速形成。通过控制Sr^2+和Pb^2+的摩尔......
采用化学共沉淀法制备(Sr1-xPbx)TiO3粉末,在60 ̄220℃间获得了五种居里温度的PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷,实验结果表明,材料室温电阻率低于20Ω·cm,升阻比高于10^5.5。文中还给出了(Sr,Pb)TiO3铁......
应用化学共沉淀法制备系列Pb/Sr比例的(Sr,Pb)TiO3粉末,标定了体材料的晶体结构,计算了材料的晶胞参数,给出了晶胞参数随Pb/Sr比例的变化规律。......
为了在钛酸锶铅(Sr,Pb)TiO3)基PTC材料中获较强的NTC效应,从分析可能产生较强NTC效应的原因入手,利用重现性较好的液相化学工艺考察材料的化学不均匀性,固溶......
钛酸锶铅((Pb1-xSrx)TiO3,PST)固溶体材料是一种性能优良的钙钛矿型铁电材料,其形成铁电相的温度较低,且易于和半导体工艺结合,应......
用自燃烧法低温合成了单相(Sr,Pb)TiO3陶瓷粉末,研究和确定了自燃烧后应的pH值条件,分析了自燃烧反应历程。测量了(Sr,Pb)TiO3的居里温度及Y掺杂陶瓷阻-温特性。......
研究了原材料、液相添加剂BN对Y^3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电......