K掺杂相关论文
四氧化三姑(Co3O4)是一种典型的p型半导体气体传感材料,如何有效改善Co3O4材料的气敏性能是研究人员关注的热点。论文采用水热法通......
稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷属性而引起了人们的关注。2000年，Dielt等人通过理论计算预言了Mn掺杂p型ZnO中室温铁......
采用EDTA-柠檬酸联合络合法合成了La0.7Sr0.3-xCaxFeO3(LSCaF;x=0,0.1,0.15)和La0.7Sr0.3-xKxFeO3(LSKF;x=0,0.01,0.05)系列阳极材......
对碳纳米管掺杂特性的了解是控制其价电子的关键.研究发现:单壁碳纳米管进行K掺杂后,其电阻率和转折温度 T (高于此温度后,dρ/d......
随着工业经济的发展,能源损耗和环境保护已经成为了当今社会急需解决的两大难点。面对环境与能源的双重压力,以非贵金属半导体为主......
以Li2CO3,SiO2为固相反应物,同时以K2CO3作为K掺杂源,制备了一系列可在高温下(300~800℃)吸收CO2的K掺杂硅酸锂陶瓷材料,利用XRD,e......
以聚酰亚胺(PI)为衬底的柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具备质量比功率高、可弯曲、轻质、适合卷对卷沉积规模化生产等特点,是当......
本论文的工作分成两个部分,第一部分主要涉及ZnO基半导体的p型掺杂及器件与ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究；第二部分主要关于......
利用溶胶-凝胶旋涂法(sol-gel)在玻璃衬底上制备了不同K掺杂量的K-N共掺ZnO薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫......
