阶梯掺杂相关论文
本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型 .基于分区求解二维Poisson方程 ,得到了不同漂移区杂质分布的横......
本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移......
本文比较了SiC高压肖特基热垒二极管与Si基肖特基二极管导通电阻与击穿电压的矛盾关系.通过修正二维数值模拟器MEDICI中关于SiC的......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向......
提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析......
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型．基于分区求解二维Poisson方程，得到了不同漂移区杂质分布的横向电......
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型．通过分区求解二维Poisson方程，获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压......
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构......
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程．获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电......
如何有效的控制激光器热效应已经成为激光器研究重点之一。激光晶体的热效应由晶体的热耗、晶体自身的性质以及晶体散热方式共同决......
学位
