为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强......

对4H—SiC雪崩光电探测器的Ti／Al／AuP型欧姆接触进行了详细的研究。通过线性传输线模型（LTLM）测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触......

应用ATLAS模拟软件，设计了吸收层与倍增层分离的（SAM）4H-SiC雪崩光电探测器（APD）结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应......

研究了一种新型4H—SiCU型槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管（UMOSFE％）结构．该结构中的P—bodv区下方有-P型突出屏蔽区．在关态下，该P型突......

碳化硅（SiC）是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料，可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5．486MeV的α粒子研究4H—SiC肖特基二......

采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）测试方法对4H—SiC上热氧化生长的氧化硅（SiOx）薄膜表面形貌进行观测，......

利用光电流谱法研究了300K到60K温度范围内的P—i—n结构4H—SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的......

借助ISETCAD，对4H—SiCMESFET进行二维数值模拟，研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明，在直流特性上，由于表面陷阱......

提出了一种新型4H—SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强，加快漂移区耗尽。同时，利用D-RESURF......

在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压......

文中基于多种理论模型构建了4H-SiC SAM APD结构紫外光电探测器的基本物理模型.模拟研究了包括反向伏安特性、离化率、光谱响应在......

优化双沟4H—SiCMESFET结构，通过求解一维和二维泊松方程，建立优化结构的解析模型，分析这种结构的直流和交流特性．结果表明，饱和电流密......

采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H—SiC的本征态的电子结构以及4H—SiC材料N掺杂后的电子结构，计算结果表明：与本征态相......

基于4H—SiC的材料特性，对具有双外延基区结构的4H—SiC双极晶体管进行研究．通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时......

采用解析模型,对n型4H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳......

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H—SiCMESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处......

采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化......

主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样......

在极端环境中应用的SiC器件，稳定性会受到温度的严重影响，其主要原因与材料晶格动力学因素随温度的变化有关。为了研究SiC单晶材料晶......

半导体同位素电池由于其寿命长、集成性优良、环境适应性强等特点成为解决MEMS能源问题的理想手段。利用4H-SiC材料的宽禁带特性，制......

分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上，由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压......

与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC......

本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-......

利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5......