非晶铟镓锌氧化物相关论文
非晶铟镓锌氧化物（Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO）薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）已被广泛运用于平板显示。抬高......
建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor,简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道......
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因具有制备温度低、载流子迁移率较高等优点而非常适合于制作柔性TFT背板,进而驱动柔性显示器件......
以非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO)为有源层材料的薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)近年来因......
以非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZO)为有源层材料的薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)近年来因......
非晶铟镓锌氧化物(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)以其较高的载流子迁移率、......
本文主要系统地研究了非晶铟镓锌氧化物(amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs)在......
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄......
本文对于P型准分子激光结晶(Excimer Laser Annealing,ELA)多晶硅薄膜晶体管(Thin Filml Transistor,TFT)和非晶铟镓锌氧化物(a-IG......
IGZO即InGaZnO作为一种透明氧化物半导体在近年来受到了研究者重视和广泛应用。传统的半导体氧化物由于透明性差、迁移率低、载流......
由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制......
在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜作为有源沟道层,分别制备了顶栅和底栅结构的薄膜晶体管（a-IGZO-TFTs）原型......
本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film ......
近年来,基于非晶铟镓锌氧化物的柔性光电薄膜晶体管在柔性显示、通信和探测等领域得到广泛应用。为提高柔性光电探测器的开关电流......
以a-IGZO薄膜晶体管(TFT)为代表的非晶氧化物TFTs具有高迁移率、高开关比、高透光率等优点,其在射频识别(RFID)技术领域的应用逐渐......
介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器......
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起......
基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor,TFT）,其长/宽......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor)是由电极、半导体层和绝缘层构成的场效应器件。它是构成液晶显示器(Liquid Crystal Display)和......
薄膜晶体管(TFT)作为平板显示的核心组成部分,任何有源矩阵的平板显示都依赖于TFT的控制和驱动。目前应用于显示器的开关元件仍为......
