薄膜淀积相关论文
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其......
利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是......
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶......
研究了一种氢化非晶硅(a:H-Si)薄膜微晶化的激光控制工艺方法。在保持脉宽、激光功率和激光光斑大小一致的情况下,分别应用4、8、1......
在2003年11月28～31日于日本YoKohama举办的FPD展览会上展示了最大尺寸的aSi淀积基板,这种基板可满足在一块基板上生产40英寸电视的......
报道了自行设计的将二维Ｄａｍｍａｎｎ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器，并用等离子体增强化学气相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制......
提出了一种新型的极值法监控薄膜淀积层厚精度的方法.该方法通过设计和高速监控波长,改变各层膜的反射率极值过正量而将被镀膜层精......
介绍一种以多晶硅薄膜为敏感材料的压力传感器。该传感器利用了双岛结构膜片的应力集中效应，灵敏度得到提高，且具有良好的线性度和过......
随着集成电路技术的发展，晶体管的特征尺寸已经减小到45nm 以下，栅氧化层的物理厚度小于2nm，导致栅极漏电流增大，采用高k材料取代二氧......
多孔硅作为一种牺牲层材料,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用.文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术,并用后两种"在低......
基于集群并行系统,实现了运用蒙特卡罗方法模拟100×100×100个原子Si衬底Al薄膜淀积过程的并行计算.采用了重叠的区域分......
本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它......
从宏观粒子和微观粒子的输运现象及等离子体化学入手，建立了宏观粒子沉降过程中的纯化模型.计算了各类粒子的浓度的径向分布、加速......
建立了等离子体中宏观粒子的输运模型，计算了粒子沉降的加速度、速度和时间，得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的......
建立了平面行星夹具薄膜淀积无量纲模型。通过对蒸发源位置LIH、行星主轴与副轴距离PIH、夹角倾角A以及蒸发源蒸汽发射特性N等因素......
提出了一种提高极值法监控薄膜淀积层厚精度的方法.该监控方法通过改变各层膜的反射率极值过正量而将被镀膜层精确地停镀于其膜厚......
研究了分离法监控多层膜淀积时监控片的更换策略问题.分析了不同的监控片更换策略对所淀积薄膜光学特性的影响,得出了监控片的更换......
提出了一种通过计算机模拟薄膜的淀积过程来计算规整膜系层厚允许误差的方法 ,所计算的层厚允许误差不仅取决于膜系的设计结构 ,还......
