研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带......

本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型......

ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结构隔离栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）中的栅电流＝ＧａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｉｎＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｓｕｌａｔｅｄ－ｇａｔｅｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＨＩＧＦＥＴ... Gate Current in AlInAs / GaInAs Heterojunction Isolation Gate Field Effect Tran......

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我们研究了与InP衬底晶格匹配的GaInAs/AlInAs三元材料多量子阱异质结构的光学性质,测量了不同阱宽量子阱在低温下的吸收光谱、光......