化学汽相淀积相关论文
化学汽相淀积（ＣＶＤ）设备的使用与维修王焕杰，张克云，陈振昌（复旦大学．上海．２００４３３）自８０年代初开始，化学汽相淀积（简称ＣＶＤ）工艺及其专用设备，在我国半导体器件制......
报道了常压金属有机化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）制备的Ｚｎ０．７Ｃｄ０．３Ｓｅ／ＺｎＳｅ单量子阱的光泵浦受激发射性质。在７７Ｋ下观测到了ｎ＝２的重空穴激子发光峰和ｎ＝１的重空穴激子吸收峰。在......
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结......
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅......
Infineon Technologies AG公司(位于德国慕尼黑)的研究人员已制作成功首款采用碳纳米管的功率半导体器件,在此之前人们一直认为这......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行......
研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶......
文章阐述了光辅助外延生长的基本原理，光辐射增强生长速率主要有：光分解、光催化和光的热分解三种机制；介绍其在半导体材料外延生长中......
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜(a-C:F)的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导......
采用ECR-PECVD低温沉积方法，以质量分数为5％的SiH4（配Ar气，SiH4：Ar=1：19）和H2为反应气体，在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜，以......
近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介......
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分......
用1.4kW_cwTEM_ooCO_2激光分解TiBr_4,使Ti淀积在不锈钢基体上。对膜的厚度和淀积速率作为TiBr_4的分蒸气压、辐射时间和室温的函......
由于金刚石膜优异的力学、电学、热学及化学性质,使其成为MEMS中的微型传感器和微型结构的重要的首选材料。利用金刚石膜作为MEMS......
外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这......
低压(LPCVD)和等离子体增强(PECVD)化学汽相淀积的新发展,目的在于使材料和制造技术满足小尺寸和表面形状复杂的VLSI电路提出的要......
常压化学汽相淀积(APCVD)硼/磷硅玻璃膜(BPSG)已经确定了最佳条件,能更有效地利用反应剂,得到颗粒杂质比以前少得多的玻璃膜。这些......
报道了在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究 .通过引入Ⅲ ......
综述了化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的最新发展，包括金属有机化合物化学气相沉积、等离子辅助化学气相沉积、激光化学气相沉积；同时介绍了三种用......
化学汽相淀积(CVD)技术是大规模和超大规模集成电路制作中应用最广泛的重要技术之一。自从硅CCD和红外CCD问世以来,CVD技术受到了......
在微电子器件的制备中,用等离子腐蚀金属、半导体材料和介质是一项被认定了的工艺。最早研究等离子腐蚀工艺是前10年左右的事;而现......
介绍了用NF_2代替传统使用的NH_3制备掺氟低氢等离子增强化学汽相淀积(PECVD)Six Ny:F膜、用NF_3代替CF_4等离子刻蚀超厚氮化硅薄......
