直接隧穿相关论文
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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利用频率依赖电容谱的测量,对于SiO2/硅量子点/SiO2/硅衬底隧穿电容中硅量子点的荷电特征进行了研究.由于量子点的极小尺寸和良好......
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降......
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管的氧化层的影响 .对于栅厚为 3nm的超薄栅 MOS结构的界面用高斯......
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工......
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应，建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用......
理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明......
对于纳米级的CMOS电路，由于MOS器件具有超薄的氧化层，栅隧穿漏电流的存在严重地影响了电路的正常工作。本文基于可靠性理论和电路级......
通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率，模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应，结果显示该方法比WKB近似更......
针对量子力学势垒隧穿教学难点，通过对MOS结构栅氧化层电子直接隧穿的真实模型的讨论，使量子力学从抽象走向实际，教学更生动足易于理......
随着信息技术的发展,非易失性存储器应用越来越广泛。使用分散的量子点代替目前连续的多晶硅悬浮栅作为存储层结构得到了人们极大......
精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率，用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻．针对N型Ni基SiC......
在分析硅基纳米存储器的势结构和价带混合效应对直接隧穿过程影响的基础上，采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法，发展了电子和空穴......
软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对......
随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性......
透明导电氧化物(TCOs)由于其在电学、光学和化学特性上的多样性而成为了基础研究和技术应用的激发材料。二氧化锡是一种非常重要的......
随着器件尺寸的不断缩小，栅极氧化层厚度也不断减小，这导致器件的栅极泄露电流迅速增大，从而影响器件的静态功耗、可靠性以及工作性能......
实现社会信息化的关键是各种计算机和通讯机,其基础的部件都是微电子产品,微电子技术的核心是MOS集成电路,它的发展水平标志着整个......
