EL2相关论文
开关技术在脉冲功率技术中占有重要的地位,它不仅决定了脉冲功率系统的输出特性,甚至是脉冲功率系统的成败的关键。高重复频率、小......
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结......
液封直拉法生产的半绝缘砷化镓单晶（LEC SI-GaAs）被广泛用于微波器件和高频集成电路的衬底材料，成为当代信息产业的重要材料之一。随......
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明......
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿......
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现，这种半绝缘......
根据ＥＬ２分布的热处理行为Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。......
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ中ＥＬ２浓度及其分布的变化，为了分析这一变化，还检测了位错和Ａｓ沉淀的分布，在实验结果基础上......
<正> 一、引言 由于SI-GaAs材料在技术上的极端重要性,决定其半绝缘性质的EL2能级成为最受关注的深能级之一。近几年来,人们通过大......
利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测......
