GaN高电子迁移率晶体管相关论文
Ga N作为典型的宽禁带半导体材料，具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势，封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工......
利用非均匀分布式结构研制了一款超宽带功率放大器,频率覆盖DC-3GHz。该超宽带功率放大器基于4英寸0.25μmGaN高电子迁移率晶体管（H......
摘 要：采用Cree公司提供的CGH40010F GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为有源器件，设计了一款工作在2.2 GHz的射频功率放大器。利用ADS软......
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长7......
由于诸如冷启动和负载突降等瞬态负载变化,12V车载蓄电池的电压可以从3V变化到40V,因此车载应用要求功率变换器能够支持宽输入电压......
为改善传统AIGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HE......
研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在......
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流......
介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法，详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程，利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器......
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。......
针对超宽带、高功率和高效率放大器的设计和制作难点问题,设计了一种基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管技术(......
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PA......
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应，测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23．8％，且随着栅脉冲宽度减......
研究了AlGaN／GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响，并对工艺进行了优化。首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响，......
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采用拉曼热测量技术结合有限元热仿真模型,分析比较新型铜/石墨复合物法兰封装与传统铜钼法兰封装的GaN器件的结温与热阻,发现前者......
阐述了基于GaN HEMT的超宽带功率放大器的设计与实现方法。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并利用多节λ/4阻抗变换器实现宽带实......
功率附加效率是现代无线通信系统中一个重要的指标,较高的效率会大幅提高无线通信系统的运行时间,增强电池的续航能力,提高能源利......
基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2～1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引......
采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的......
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽......
高功率电磁（high power electromagnetic,HPEM）是一种高功率、高强度、高频的电磁环境,很容易耦合到电子系统内部,可对电子、电气系......
