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Ge衬底相关论文
在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致......
期刊
分子束外延
SI衬底
Ge衬底
CdTe
HGCDTE
晶向
晶格失配
分子束外延生长
SI基
衬底
高K栅介质Ge MOS电容特性与制备研究
在集成电路集成度不断提高,器件尺寸已经进入纳米尺度并且还在不断缩小的发展趋势下,使用传统的Si/SiO2/多晶硅结构会因为过薄的SiO2......
学位
高K介质
Ge衬底
界面特性
ALD技术
C-V曲线
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