晶向相关论文
碳元素在地球上无处不在,人类就是碳基生命体。自从2004年石墨烯的问世掀起了二维纳米材料研究的热潮,层状二硫化钼和二硫化钼/石......
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较......
以标准单模光纤包层的外表面作为基底,通过改进的恒温蒸发对流引导合理控制溶剂蒸发温度和液体表面下降的速度,使用垂直沉积法在其......
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下......
中环半导体股份有限公司近日公布了三项新产品:国内首颗8英寸区熔硅单晶、直拉区熔高效太阳能电池用硅单晶和8英寸〈110〉晶向直拉......
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面......
本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同的腐蚀速......
遵循摩尔定律,传统金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）集成电路芯片特征尺寸不断缩小,器件集成度逐步加大,然而随着芯片性能的......
本工作采用分子动力学方法研究了晶向和温度对含孔洞单晶TiAl-Nb合金断裂行为的影响,主要分析了不同条件下TiAl-Nb合金的力学性能......
单晶硅球法是阿伏伽德罗常数量值精密测量以及质量重新定义的一种重要方案。单晶硅球表面的氧化层厚度关系到硅球质量和直径测量结......
本文建立了一种晶面—晶向投影图,以揭示体心立方晶体{100)、{110)和{112)晶面簇中诸晶面以及在这些晶面上各重要晶向。根据该投影......
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺......
本文综述制作三维硅半导体器件的各向异性腐蚀技术。描述(100)和(110)硅面上的V形槽和U形槽结构。评价了业已报导的几种各向异性腐......
<正> 众所周知,硅具有一系列的特性,使之成为很有吸引力的半导体材料。主要的理由是资源丰富,二氧化硅在地壳中占28％,这就使硅材料......
本文论述了用于固态传感制备的〈100〉和〈110〉晶向硅片各向异性腐蚀的特点和机理;对掩模图形边缘取向和(100)硅矩形台而凸角处的......
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°......
南洋科技股份有限公司董事会11月14日对外宣布，该公司近日与合肥微晶材料科技有限公司签订了投资合作协议。根据约定，合肥微晶向公司......
采用三维分子动力学模拟方法,以面心立方金属银为研究对象,以尺寸和总原子数相近的三个不同晶向[1 1 0]、[1 1 2]、[1 1 1]纳米杆......
本文采用分子动力学模拟方法，对不同截面尺寸的面心立方结构（FCC）<001>、<110>、<110>{111}和<111>晶向镍纳米线进行弛豫模拟。论文分......
采用嵌入原子势, 使用分子动力学方法, 模拟研究了[110]、[11^-2]和[11^-1^-]三个晶向钨纳米线的拉伸弛豫过程的微观破坏机理．并引......
利用“固体与分子的经验电子理论”和晶体参数，建立了ＴｉＯ２晶体的价电子结构，对等离子体喷 ＴｉＯ２涂层织构的变化从理论上进行了分析。......
采用张量理论描述了基于双晶硅晶体的应力、应变关系，通过应变能密度公式说明了弹性模量和晶体方向余弦之间存在的关联。运用ANSYS......
采用金属催化的气相合成法制备高纯度单晶钨纳米线材料,采用分子动力学方法进行拉伸模拟计算,分析〈100〉、〈110〉、〈111〉3种典......
由Schr？dinger方程出发,基于（101）单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向（101）单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影......
在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件......
为提高金刚石刀具的精度,理论分析机械研磨法加工金刚石前刀面的模型,并实验研究研磨盘表面质量和研磨晶向对金刚石刀具前刀面粗糙......
目的探明金属材料中局部氢分布及演化特性是揭示其高压氢脆机理、预测承载件服役性能的重要基础。由于材料中局部氢分布测试难度大......
基于三维正交各向异性弹性有限元分析和晶体滑移理论,分析了单晶涡轮叶片在其工作状态下的应力状态和蠕变寿命与叶型积叠线方向的......
采用基于原子镶嵌势函数的分子动力学方法,模拟了银纳米线沿[100]、[110]和[111]晶向拉伸过程中的空间原子结构和性能.研究结果表......
介绍了利用喇曼微探针测量晶体晶向的原理,对该方法作了详细描述;阐述了利用喇曼微探针测量晶体晶向较其他一些测量方法的优越性.......
本文介绍了单晶金刚石刀具研磨方向的选择,同时简单的介绍了单晶金刚石刀具的研磨方法.为了考察单晶金刚石的研磨效率,试验采用陶......
采用磁控溅射法在玻璃基片上沉积La B6薄膜。通过改变溅射功率参数,获得最佳制备工艺条件。采用XPS、X射线衍射仪和分光光度计研究......
磨削减薄过程中,硅片表面产生亚表面损伤,其中的残余应力使硅片产生翘曲变形。因此,研究无光磨磨削时的硅片面形变化规律以评价其......
在自制水平热型连铸设备上，制备了具有单晶组织、宽20mm、厚4mmSn带材。通过宏观腐蚀，并结合XRD分析表明：由于晶粒的竞争生长，单晶Sn带......
金刚石拥有良好的物理和化学性质,其优异的性能表现在极大的机械硬度、高热导率和低热膨胀系数、最宽的透光波段和耐强酸强碱的抗......
Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用（110）晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议（IEDM）上，Intel的32nm......
采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉（CAS）多晶薄膜，研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响。测试结......
硅压阻式微传感器的压力灵敏度除与硅膜片的厚度、大小、压敏电阻阻值大小有关外,还与电阻在硅膜片的分布方位及在硅膜片上的位置......
给出了图形漂移的定义,综合介绍了埋层外延中图形漂移的监测方法,其中包括常规的磨角染色法和无损伤测量垂直和平行于参考面两个方......
取向硅钢成品的晶粒尺寸非常大,其易磁化方向[001]晶向对于轧向的偏差角度对其磁性能影响极大。本文介绍了取向硅钢二次再结晶后成......
提出了一种新型扫描大尺寸多晶硅片晶向的方法,该方法以晶粒表面光学3D各向形貌的分析为基础,通过2部相机直接采集得到晶粒的2D反......
为了探求晶体方向对超精密切削后的硅表面纳米级粗糙度的影响,找出最佳切削方向。提出了一种利用均值分布图和欧式距离分析相结合......
探究了影响偏离<111>晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行<111>晶向硅单晶生长试验,通过对比......
分析了金刚石的研磨技术,介绍了金刚石的研磨方法.提出一种研磨机改造方案,增强了研磨机的控制功能,提高了研磨机的加工精度,降低......
本文在总结实验的基础上,给出了化学腐蚀的选择原则。并针对化学腐蚀中较重要的晶向择优和异质择优腐蚀,借助大量的曲线和照片,就 ......
