In2O3薄膜相关论文
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜......
用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜......
对比在控氧条件下制备态和退火态In2O3薄膜的微观结构和光电性能,分析两种状态中不同的氧作用机制.两种控氧行为都能够有效提高In2......
在真空状态下，在两个石英坩埚分别装入纯In，In、Sn（Wt=10％）合金，并按所沉积膜的种类（In2O3或ITO）将某一石英坩埚装入加热器，当真空度达到要......
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管......
室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In2O3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In2O3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光......
用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜......
在室温条件下采用直流磁控溅射方法并结合原位空气退火工艺，在普通玻璃基片上，制备了不同Fe掺杂量的In2O3薄膜。实验结果表明，退火氛......
用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底（0001）面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究......
采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体（DMS）薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧......
紫外探测器在导弹预警、火焰探测和光通讯等军用、民用领域都具有非常重要的应用。紫外探测器性能的优良很大程度上取决于所选择的......
在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管......
近几年来,由于透明氧化物半导体材料在发光二极管、激光器、紫外探测器、透明薄膜晶体管、薄膜太阳能电池及平面显示等方面具有广......
随着当今透明光电子器件的不断发展,要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展,而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长......
作为第三代半导体材料,宽带隙透明氧化物半导体材料由于其优良的光电特性,一直吸引着研究人员浓厚的研究兴趣,并在透明薄膜晶体管......
随着纳米光学和纳米光电子器件的兴起,激光器器件尺寸不断减小,性能不断优化。但是在电流泵浦模式的设计过程中,金属电极的放置位......
透明导电氧化物是一类宽带隙半导体材料,具有高的电导率和高的可见光透过率。另外,其载流子浓度比典型金属低2-3个量级。这种高电......
透明导电氧化物薄膜(TCOs主要包括氧化铟In_2O_3、氧化锡SnO_2和氧化锌ZnO基三大基本体系)是一种兼具透光性与导电性光电材料。由......
在航空发动机研发的冷效实验和整机试验中,需要准确测量涡轮叶片表面温度及温度分布,薄膜热电偶是实现准确测量的方法之一。相较于......
