Al掺杂ZnO薄膜相关论文
用原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪观察采用溶胶-凝胶法制备的Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌、透射光谱和光致发光谱。......
氧化锌(ZnO)具有典型的六方晶系结构，它属于宽禁带Ⅱ-Ⅵ族。氧化锌是一种极其重要的半导体材料，因其优良的特性而被广泛应用于在电化......
以Zn(OAC)2.2H2O和AlCl3.6H2O为原料,采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃片基材上获得了掺铝的氧化锌透明导电薄膜。采用XRD、SEM、以......
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌......
用原子力显微镜观察溶胶一凝胶法制备Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌，运用多重分形理论研究Al掺杂ZnO薄膜的原子力显微图像，多重分形谱可以......
为了研究氧气对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响,用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锌掺铝(ZAO)薄膜,靶材为锌铝合金靶,并研究了薄膜的透......
电子信息系统正在向体积更小、速度更快和功耗更低的方向发展,促使电子材料的薄膜化和多功能复合化以及电子器件的片式化和多功能......
采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO（AZO）薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）等表征技术......
采用脉冲激光沉积技术（PLD），室温下在柔性衬底PET上制备了高度C轴择优取向的Al掺杂ZnO薄膜。XRD分析表明，不同Al掺杂浓度的样品均呈现......
采用直流磁控共溅的方法在玻璃基底上制备了不同厚度的Al掺杂ZnO薄膜,并在真空和空气中分别退火.利用X射线衍射仪(XRD)和物理性能......
ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，具有较高的激子束缚能，优良的光电性能，良好的气敏压敏性能及较高的化学稳定性和热稳定性等。自......
