InAs纳米线相关论文
纳米线的性能强烈依赖于它的结构，包括晶体结构、晶向、直径及内部缺陷等。理解结构与性能的关系是发展基于纳米线的新型纳米器件的......
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其独特的物理、化学性能，近十年来吸引大量的研究.InAs 纳米线是Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线的典型代表之一.我们......
InAs 材料有很高的电子迁移率和小的有效质量，在高频器件、红外探测等多个领域都有广泛的应用前景。基于InAs 纳米线的器件在一......
以InSb、InAs 和 GaSb 为代表的III-V 族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电......
本文的主要目的是利用高分辨率的拉曼光谱系统地研究热学和应力作用下InAs纳米线性质的变化，分析InAs纳米线在不同温度和应力作用下......
半导体量子点和纳米线作为典型的低维结构，是研发新型固态纳米器件的基础。在半导体量子点中掺入过渡金属元素构成磁性半导体量子点......
制备基于单根In As纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的......
采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs 纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs 纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行......
InAs是Ⅲ-Ⅴ族材料中一种重要的窄直接带隙半导体，具有高电子迁移率，低有效质量以及很大的激子玻尔半径。InAs纳米线在纳米电子器件......
半导体纳米线因其载流子在两个维度上运动受限,从而表现出优异的准一维载流子输运特性,而且凭借着自下而上的可控制备、以及与CMOS......
低维纳米材料如纳米线、纳米管和石墨烯等可作为纳米器件的核心单位并且具有非常优异的电学性质而备受关注。针对当前低维纳米材料......
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性。对器件的阈值电压、......
利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对......
半导体纳米线被认为是下一代纳电子器件的基本结构。作为一种性能优异的光电材料,近年来InAs纳米线受到关注。InAs纳米线表面被InP......
本文系统的研究了InAs纳米线的光电探测特性。InAs纳米线因其独特的表面电荷积累层、高载流子迁移率、费米能级钉扎效应和易于形成......
低维半导体结构本身有很多优点,在低维结构中,半导体纳米线(或者量子线)由于具有众多独特的优点而在新一代电子、光电器件以及系统......
