图形衬底相关论文
硅基自组织锗量子点（Ge量子点）因其与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺兼容和对应于通讯波段......
以蓝宝石（Al2O3）为衬底材料，通过软件设计和模拟，研究了图形衬底（PS）的图案选择、图形原胞尺寸和图形原胞间距大小3个参数对LED出光效率......
以纳米岛为代表的低维半导体材料由于其独特的性能而受到国内外学者的广泛关注,并在纳米岛发光二极管、纳米岛激光器、纳米岛红外......
由于宽的禁带宽度(3.39 eV)和高的击穿电场,作为第三代化合物半导体的代表,氮化镓(GaN)在高功率和高频器件上已经显示出巨大的应用......
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形......
设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底（PSS）,使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN......
理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期......
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜（AFM）对金属有机化合物气相外延（MOVPE）在蓝宝石图形衬底（PSS）上生长的非掺杂GaN体材......
在北京市科委的积极推动下,8月16日,美国工程院院士、普林斯顿大学终身教授周郁团队纳米压印LED图形衬底产业化项目与北京纳米科技......
回顾了近年来在Ge／Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及......
使用熔融的KOH在高温下对C面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀，借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征，然后利用金属有机物化......
InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件......
纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法......
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目前，国产功率型照明级LED芯片产品在光效、寿命以及可靠性等性能方面都取得较大进展，开发出图形衬底、透明电极和全方位反射镜等一......
光互连是一种通过光来高速传递信息的技术,它具有高传输速率、大传输带宽等优点,因此以光互连代替电互连将是今后的一大发展趋势。......
信息技术的飞速发展,已使当今世界全面进入信息化社会,未来社会将会成为一个信息经济社会。大到国家小到企业甚至个人,衡量其竞争......
发光二极管（light emitting diode,LED）是近几年迅速崛起的半导体固态发光器件,与传统的白炽灯、荧光灯等比较,具有体积小、结构紧凑......
LED属于固态照明光源，其工作原理是将电能转化为光能。LED具有寿命长、控制方便、高效能等优点，属于典型的绿色能源。但是在传统的Ga......
从90年代初,III族氮化物器件的性能提高的非常快,蓝光和绿光LEDs已经商业化。FETs则显示出微波高功率和高温特性。而高质量III族氮......
以硅为主导的微电子技术在过去的半个世纪里取得了举世瞩目的成就,大力推动了信息技术的发展,然而由于硅是间接带隙材料,在1.1μm......
以GaN基LED芯片为基础的固态照明器件具有发光效率高，寿命长，响应速度快，发光强度随电流和脉冲宽度近线性变化，能在剧烈振动和恶劣环境......
GaN基发光二极管一经问世,由于其具有节能、环保、响应速度快、体积小等突出优点广泛应用于各个领域,同时其可靠性问题也引起了人......
本论文采用全息光刻法制作二维图形衬底,利用超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)在图形衬底上生长有序的Ge/Si岛。系统研究了图形......
