当代无线电技术与微电子技术朝着小型化、集成化方向发展。铁电材料因其具有介电性、压电性、热释电、铁电性等重要特性,越来越受......

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的......

采用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备出择优取向的MgO薄膜，随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜。实验发现，MgO缓冲层的......

用RF-MBE在蓝宝石（0001）衬底上引入MgO和低温ZnO双缓冲层生长了ZnO薄膜,并制备了声表面波器件。在ZnO薄膜中,仅观测到（0002）面的XRD,且......

ZnO作为一种直接禁带半导体材料,具有3.37eV的禁带宽度以及60meV的激子束缚能,在短波长光电器件中具有非常大的应用潜力。ZnO基光......

本文利用反射式高能电子衍射（RHEED）、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si（111）衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控......