NiO薄膜相关论文
通过一种简单的溶液化学法可制备得到具有分等级结构的NiO薄膜材料。用X射线衍射、扫描电镜、氮气吸附-脱附、红外光谱等测试方法......
随着微电子器件的迅速发展,电子器件的集成度不断提高,因此,科研人员逐渐将目光转向了具有半导体性质的二维纳米材料。在这之中,Mo......
垂直结构紫外探测器相较传统平面结构异质结紫外探测器具备多种优点,如电场直接加在结区两侧,电场分布相对均匀,有助于结区内光生......
分别采用真空蒸镀_热氧化(VE_TO)及脉冲激光沉积(PLD)技术制备氧化镍(NiO)阳极薄膜材料,并利用XRD、SEM、循环伏安、充放电等方法......
采用电化学的方法制备了阳极氧化铝(PAA)薄膜,利用直流反应磁控溅射方法,以有序多孔PAA作为衬底,成功制备了有序多孔氧化镍(NiO)薄......
采用真空蒸镀并辅以热氧化法制备了NiO电极薄膜,考察了氧化温度对薄膜结构与电化学性能的影响. 结果表明,在600～700 ℃氧化温度下制......
采用NiO薄膜作为空穴传输层,PCBM作为电子传输层,制备了电池结构为ITO/NiO/CH3NH3PbI3/PCBM/Ag的钙钛矿太阳电池。研究了聚乙烯吡......
NiO作为一种新型的宽禁带半导体材料,在紫外光探测器、发光二极管等领域具有重要应用.采用Materialstudio软件在建立NiO晶体结构模......
采用溶胶-凝胶旋涂法分别以玻璃和ITO为衬底,制备出具有较高光透过性能的NiO薄膜.进而利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、薄......
用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品......
利用磁控溅射法，在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO：Al（Al掺杂的ZnO或AZO）薄膜，制备具有半导体特性的NiO／ZnO：Al透明异质结二极管。使用UV-......
采用脉冲激光沉积法（PLD）在具有六方纤锌矿结构的蓝宝石衬底上制备了NiO外延薄膜，研究了沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。在......
采用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2（1mm）／Si基板上制备了Li和Ti共掺NiO基新型无铅介电薄膜材料，研究了薄膜的形貌、结构、介电性能。结果表明......
利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si（111）衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜晶体结构及形......
采用一步溶液法构筑了反式结构NiO/NH2CH=NH2PbI3（FAPbI3）/PCBM/Ag钙钛矿电池。本文研究了钙钛矿薄膜FAPbI3结晶性、表面形貌及光电......
电致变色材料是指在外加电压的作用下可以实现光学性质可逆变化的一类材料。电致变色器件是由电致变色材料、电解质和对电极组成的......
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氧化锌(ZnO)材料是一种宽禁带的半导体材料,室温下,其禁带宽度为3.37eV,具有同第三代半导体材料GaN类似的晶体结构和物理性质,除此......
采用直流反应磁控溅射法在FTO玻璃基片上沉积了不同厚度的氧化镍(NiO)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射......
NiO薄膜是一种新型的宽禁带透明半导体材料,由于其具有优良的光学、电学、磁学等特性,在电致变色器件、紫外光探测器、存储器等方......
氧化镍（Nickel oxide,简称NiO）是禁带宽度在3.0-4.0eV之间的P型氧化物材料,在室温下,通常是分子量为74.70的绿色粉末状,具有氯化钠立......
采用电化学沉积方法在NiCl2、离子液体和有机液体（DMF）混合体系中制备出结构和性能优异的NiO电致变色薄膜。采用SEM、XRD、紫外-可见......
采用磁控溅射法制备出透明导电氧化物NiO薄膜.椭偏(SE)测试表明NiO薄膜在可见光区域透光性良好,通过调节生长、退火温度可调控NiO......
电致变色是指材料在电化学过程中发生可逆且可保持的光学性能变化。氧化镍(NiO)薄膜是一种优良的阳极变色材料,它的成本相对低廉,......
利用磁控溅射法,在K9玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜。采用不同温度对氧化镍薄膜进行氮气退火,使用UV-1700型分光光度计、JSM-6490......
NiO、TiO2和ZnO都是近年来研究比较热门的薄膜材料。它们都属于过渡金属氧化物半导体材料,有着独特的电学、光学、磁学等特性,并且......
电致变色薄膜材料在外电场作用下，能够调节其光学性能，是一种具有广阔应用前景的功能材料，它在大型显示器、无眩目反光镜、电致变色存......
采用共沉淀法制备Sm2Zr2O7粉体,通过无压烧结的方法制备Sm2Zr2O7及Sm2Zr2O7-NiO复合材料块体,利用磁控溅射法在纯Sm2Zr2O7块体表面......
随着数字技术的高速发展,人们对电子产品的性能要求越来越高,而存储器一直是各类电子产品的最为关键的部件之一。与此同时,随着半......
NiO是一种用途广泛的半导体材料,通常以绿色粉末状存在,它的分子量为74.70,具有立方晶体结构。在功能材料中,NiO薄膜具备了许多优......
本研究利用溶胶凝胶旋涂法,以醋酸镍为前驱体,在ITO玻璃基板上成功制备了NiO薄膜。并通过掺杂不同的元素制备得到了具有优异电致变......
以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂、NiCl2为主盐、LiClO4为支持电解质、FTO导电玻璃为基体,采用恒电位电沉积的方法制备了电致变色性能良......
主要研究膜厚对 Ni O薄膜电致变色特性的影响 ,通过对不同膜厚的 Ni O薄膜在原始、着色和褪色态的透过率光谱曲线和电流时间响应曲......
NiO是一种新型的宽禁带氧化物半导体,具有直接带隙能带结构,室温下的禁带宽度在3.6-4.0 eV之间。由于NiO特有的电子结构以及p型导......
NiO是一种二元的宽禁带的透明氧化物半导体薄膜,室温下NiO薄膜的禁带宽度为3.6-4.0eV。虽然比目前研究广泛的透明半导体材料ZnO大......
以乙酸镍为前驱体溶液采用溶胶-凝胶旋涂法按不同旋涂次数（1~5次）在玻璃衬底上制备NiO薄膜.通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）......
本文利用sol-gel旋涂法在ITO玻璃衬底上成功制备了氧化镍（Ni O）薄膜。薄膜在550nm处的透过率为83.9%,直接禁带宽度为3.65 eV。XRD分......
