溅射气压相关论文
利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，在室温条件下，研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量......
针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时，沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题，本文采用真空直流磁控溅射技术，利用一种高含碳量的SiC......
覆层附着性是评定覆层零件性能及其使役可靠性的核心问题,膜基结合力测量是覆层附着性评价的主要方法。针对划痕试验中软膜硬基体......
在机械加工过程中，由于刀具与工件间的摩擦，特别是高速切削时，摩擦副快速上升的温度，极易短时间内导致刀具失效。过渡金属氮化物作为切......
针对传统制铝技术,为提高膜层结合力、阻隔性,采用射频磁控溅射镀铝工艺,制备纯铝高阻隔性膜层,在PET塑料薄膜表面沉积纯铝的实验.......
随着科学技术的迅速发展,航空技术也成为了重点发展领域。航空与国防之间已经密切相关。目前飞行速度的急剧增大导致了机体不同部......
残余应力直接影响镀膜膜层的稳定性与可靠性.为减小薄膜的残余应力,提高镀膜膜层的可靠性,在不同溅射气压、不同镀膜温度条件下,在......
非晶磁弹性薄膜由于具有磁晶各向异性消失和高磁弹耦合系数的特点，应力诱导的各向异性对其磁结构及磁性能将起到显著的影响。本文针......
学位
本文在全面总结智能材料的研究现状和未来发展趋势的基础上,利用射频磁控溅射法制备NiTi/ZnO复合薄膜,并利用XRD、SEM、EDS、DMA、......
基于Parratt循环光学理论和软X射线光学多层膜的选材原则,设计了应用在18 nm附近的Ti/Al软X射线光学多层膜(Λ=9.25 nm,Γ=0.3,N=2......
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究......
期刊
利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了F eCoS iB薄膜,溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火。实验结果表明,F eCoS iB的应力......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备了 Ti O2 薄膜。靶材为纯度 99.9%的钛靶 ,溅射时基片不加热。XRD结果显示 ,所得 Ti O2 ......
在氧气和氩气的混合气体中,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石基片上溅射生长了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,使用微细加工工艺制备了BST薄......
为改善Ni80Fe20薄膜的性能,研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备Ni80Fe20薄膜,用X射线衍射......
期刊
研究了不同溅射气压条件下磁控溅射制备w／si多层膜过程中的应力变化，使用X射线衍射仪测量了多层膜的结构，使用实时应力测量装置研究w／s......
利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜.分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射......
通过反应溅射,以硅基片(表面上有白金加热电极)为基底制作H2S薄膜气敏元件.实验表明,纳米SnO2对H2S具有较高的敏感度,对干扰气体的......
利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜.当偏置磁场从4800 A/m增加到......
为研究Ti/Al多层膜的结构和热稳定性与溅射气压的关系,采用对向靶直流磁控溅射法在0.5、2.0 Pa的溅射气压下制备了Ti/Al软X射线光......
采用磁控溅射方法分别在ITO玻璃和硅片上成功制备了具有良好C轴取向的ZnO薄膜．并研究了溅射气压，基底温度，以及氧偏压对ZnO薄膜物性的......
以纯铝为靶材,在不同溅射气压下采用直流磁控反应溅射方法制备了Al2O3薄膜.用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、台阶仪、......
采用射频磁控溅射技术,在常温状态下在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO透明导电薄膜.利用XRD和AFM分别对薄膜的晶体结构和表面微观形貌......
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉......
采用直流反应磁控溅射方法在Si（111）基底上沉积了氮化钛薄膜。研究了在溅射沉积过程中，改变腔体气压对所制备的薄膜结构及性能的影响......
采用射频磁控溅射法在玻璃上动态制备高质量的掺铝ZnO(AZO)透明导电膜,研究了动态沉积条件下AZO薄膜的膜厚和电阻率均匀性,以及溅......
在室温下采用射频溅射法制备纳米TiO2薄膜,并用XRD、AFM、Raman谱仪等手段研究了不同溅射气压及不同退火温度处理后薄膜的结构及其......
以氮气为反应气体,采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜.通过XRD测试发现,靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向:大的......
本文在不同的溅射气压的情况下制备了具有相同结构参量的Mo/Si多层膜，测出了其对应的小角度X衍射曲线，在北京同步辐射实验室测量了多......
采用直流磁控反应溅射法,在Si（111）基底上成功制备了多晶六方相AlN薄膜.研究了溅射过程中溅射气压对薄膜结构和表面粗糙度的影响.结......
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜,分析了ZnO薄膜的晶体结构和表面形貌。结果表明：所......
在不同的溅射气压下，采用连续磁控溅射制备了Fe/Si3N4多层膜，探讨了溅射气压对多层膜微波磁性的影响。研究发现，溅射气压影响着多层膜......
为揭示VXOY薄膜场致相变规律,推广钒氧化物应用于卫星控制系统,指导氧化钒规模制备,将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶......
采用直流磁控溅射在钢基体上制备了铌薄膜，分别采用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、球盘式摩擦磨损实验机和电化学分析仪研......
利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si（111）衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜晶体结构及形......
针对RGTO SnO2薄膜颗粒粒径较大的问题，通过控制直流磁控溅射时的溅射气压，制备出了纳米粒径RGTO SnO2薄膜，用SEM表征了其形貌及粒径......
研究了基片温度和溅射气压对磁控溅射方法制备的Ni80Fe20磁性薄膜各向异性磁电阻的影响.实验发现基片温度是影响Ni80Fe20薄膜各向......
采用磁控溅射法,以溅射气压为变量,在ITO导电玻璃上制备了WO3薄膜及TiO2薄膜,将Li+聚合物电解质涂覆于这两种薄膜之间封装成固态电......
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了ZnO∶B薄膜,利用霍尔测试仪和紫外-可见光-近红外分光光度计及逐点无约束最优化法,研究了......
采用射频磁控溅射技术在Si(111)基片上制备金属锰膜,用椭圆偏振光谱在2.0~4.0 e V光子能量范围内研究了溅射压强对锰膜光学性质的......
采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪,测量了用磁控溅射法制备的Si/Ge异质多层膜结构的光学常数,测量能量范围为1.5～4.5eV.分析了不......
采用动式卷绕直流反应磁控溅射法，在双轴织构的Ni-5at％w基带上快速制备双面Y2O3种子层用于制备高质量YBa2Cu3o7-x（YBCO）涂层导体。研究......
Cu3N薄膜由于其特殊的结构以及较低的热分解温度在光存储、微电子等半导体领域有着广泛的应用前景,近些年来受到国内外学术界的广......
随着磁记录的不断发展,记录密度逐渐提高,即将接近垂直磁记录的物理极限。交换耦合复合磁记录介质（Exchange coupled composite rec......
采用直流磁控溅射法在溅射气压为0.1~1.0Pa下制备了金属Mo膜。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层Mo膜的表面、断面......
利用磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了FeCoSiB非晶薄膜，研究了溅射心气压强对薄膜表面形貌及磁特性的影响。结果表明，薄膜的表面形......
采用反应直流磁控溅射法，在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar／N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响......
