对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量......

对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模......

CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处......