金属-二氧化硅-半导体（MOS）结构对于SiO2-Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐......

利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET......

CMOS器件尺寸越来越小，栅介质厚度持续减小，负偏压温度不稳定性（NBTI）成为制约器件可靠性及寿命的最主要因素之一。然而，NBTI机理一直处......

随着器件尺寸的不断减小，PMOS器件NBTI（Negative Bias TemperatureInstability）效应变得愈发明显，对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发......

随着MOSFET尺寸的不断缩小,器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗,隧穿场效应晶体......

随着CMOS器件尺寸的缩小,栅介质厚度已经减薄到接近其物理极限。然而,电源电压减小的相对滞后导致的强电场引发了各种可靠性问题。......

栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一,它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重......

随着MOs器件尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅泄漏变得愈发显著,对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发严重,成为限制器件及电路寿......