RESURF原理相关论文
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面......
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化......
提出了RESURF LDMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型，根据二维泊松方程的求解，得到了与器件参数和偏压相关的表面电场......
提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF新结构高压LDMOS器件．该结构器件与常规LDMOS相比，采用了相对较薄的外延层，使之与标准CMOS工艺的兼......
横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此,提出了LDMOS三种经典结......
随着功率半导体技术和系统集成技术的不断发展，功率器件的研究也越来越受到关注。MOS栅功率器件的产生，引发了功率集成电路的概念，即......
随着集成电路技术的不断发展,功率器件的研究也受到广泛关注,新型功率器件不断涌现,特别是由于MOS栅功率器件的出现,引发了功率集......
