SI(111)衬底相关论文
用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD)，光致发光(PL)谱，I-V曲线和光电响......
用脉冲激光沉积（PLD）技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射（XRD）,光致发光（PL）谱,I-V曲线和光电响应谱对......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认......
