低压化学气相淀积相关论文
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2......
微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。......
介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积......
利用LPCVD(低压化学气相淀积)进行了五组原位掺杂多晶硅实验,结合膜的生成原理对实验结果进行了分析,并重点对LPCVD原位掺杂多晶硅......
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。......
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高......
氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性，在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特......
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶......
对磁控溅射和低压化学气相淀积（LPCVD）2种方法制备的多晶硅薄膜的电学和压阻特性进行了研究，并讨论了结晶化工艺对磁控溅射薄膜性质的......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低......
选用Au和LPCVD的低应力Si Nx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光......
在冷壁式不锈钢超高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向......
在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了......
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS......
研究了低温低压化学气相沉积(LPCVD)法生长的多壁碳纳米管薄膜对气体的敏感性.结果表明纯的多壁碳纳米管薄膜对气体没有明显的气敏......
能带工程的开展与取得的成果使得对异质结的关注与研究越来越广泛。两种半导体材料禁带宽度不同以及界面态等因素的影响,使得异质......
21世纪以来,全球范围内的传统能源迅速短缺和环境污染日益严重,这两个问题成为了制约经济发展的主要问题。太阳能作为一种清洁、无......
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的......
本文介绍了一台进口的LPCVD设备,它的型号是ACS514。它由三套炉管系统组成;它使用氨气、SiH2Cl2、TEOS和SiH4等特气。这台LPCVD设......
本工作采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术,在Si(或石英)表面上经原位掺杂和后热扩散生长了B掺杂纳米多晶Si薄膜。利用a-台阶仪测量......
本工作采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术,在SiO2 表面上成功地制备了纳米晶粒多晶Si 薄膜。研究了淀积时间、衬底温度、反应气体压强......
采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响.但是当背封好的硅片经抛......
研究了低压化学气相淀积SiN（LPCVD）介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观......
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的......
锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积（LPCVD）法在铜箔上制备CoSb3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何......
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采......
