硅基片相关论文
本文提出了一种将铁氧体置于硅片及Y结环形电路上的环形器结构,该环形器结构的设计能更好地与集成电路的制造工艺兼容,适合用于将......
100kW二极管列阵要变为现实,就需要两种关键元件:高性能二极管条和性能优良的散热器，其中后者又包括精密的二极管条安装座。里......
美国普渡大学工程师的研究表明，利用激光可能避免和确定尘埃污染物，帮助计算机芯片制造商大幅节约成本。由E.Dan Hirleman领导的小组......
设计并制作了一种全集成的基于波长路由的光真延时(OTTD)模块。该模块由两个相同的通道间隔为1.6nm的16×16阵列波导光栅路由器(AW......
生物传感器和生物芯片的发展需要生物分子和基底之间产生稳定的电流交换。金刚石被发现是一种理想材料,具有优良的性质,如:物理稳......
Ni-Al oxidation-resistant films and Ti-Al oxidation-resistant films, used for the barrier layers during the integrating ......
利用二氧化钒薄膜的绝缘-金属相变特性,在硅基片上设计并制备了一种电压控制的超表面调制器件,研究在太赫兹频率范围内超表面器件......
日本电信电话公司(NTT)在硅基片上进行砷化镓晶体生长制成薄膜太阳电池。它的光电转换效率和面积都超过了已实用化的以砷化镓作基......
用真空蒸镀法在室温Si基片上制备了Ag薄膜,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析.结构分析......
在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱......
通过实验对热氧化工艺中的两种不同方法,即干氧氧化和水汽氧化进行了比较研究,证明了利用这种工艺形成硅基片硬质掩膜的可行性.......
采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明，该薄膜为非晶态。对其进......
表面增强荧光(SEF)现象自20世纪70年代被Drexhage等发现以来[1-2],国内外的研究者一直致力于对SEF的相关理论和实验两方面的研究[3......
硅基滤波器在毫米波频段具有高Q值、低损耗、小体积、低成本的明显优势,并且易于与集成电路集成,是解决毫米波滤波器芯片化的绝佳......
提出硅基片生长薄膜的薄膜电阻的测试方法，利用方形四探针技术实现对较小硅基片上生长钴的薄膜电阻的测量，完成不同生长厚度下三片薄......
中科院兰州化学物理研究所利用环氧基团/羧基与氨基基团的化学反应,将氧化石墨烯片（GO）共价组装到3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）自组......
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧......
