AL掺杂相关论文
p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料，但由于工艺技术的制约，国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶......
为了缓解全球变暖等环境问题,采用电动汽车（EVs）代替传统汽车可有效减少CO2等温室气体的排放。然而,电动汽车大规模商业化的难点之一......
学位
M-Nb-O负极材料由于其高安全性、高理论容量和优异的循环性能在锂离子电池中得到了广泛的研究。在众多M-Nb-O材料中,FeNb11O29材料......
非线性光学晶体是全固态激光实现激光频率转换的关键材料。硼酸铯锂(CsLiB6O10)晶体是一种综合性能优良的非线性光学晶体,但该晶体......
试验采用高温固相法经二次烧结合成622三元正极材料。研究在烧结时间、烧结温度不变的情况下,探究不同Al掺杂量对622三元正极材料......
量子点由于其优异的光电性能备受科研界的关注,已被广泛应用于显示、太阳能电池和生物荧光标记等领域。近年来,研究者积极地对Cd系......
取向生长的半导体金属氧化物纳米材料由于其合成方法简单、生长可调性和纳米结构形貌的再现性高而受到了研究者们广泛的关注。目前......
采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征TiO2材料具有直接带隙型能带......
以金红石型TiO2、Li2CO3和Al2O3为原料,采用高温固相法制备锂离子电池负极材料Li4Ti5O12和Li4AlxTi5-xO12(x=0,0.025,0.05,0.1,0.2......
多铁性材料是指同时具有两个及以上铁性序参量的材料,铁性序参量主要包括铁电、铁磁(反铁磁)、铁弹性等。共存的铁性序参量之间还......
氧化锌（ZnO）是一种宽禁带直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,因为其在压电、光电、气敏、声表等领域独特的优势而受到学者们广泛青睐。......
半导体锗化物Mg_2Ge具有高热稳定性、低密度、优良的压缩性、丰富的可用性、无毒无污染等优点,且在热电领域和光电领域有很好的应......
CrN涂层因具有高硬度、低摩擦系数和强附着力等特性,被作为表面防护材料广泛应用于各种工件,可有效提高工件的工作效率,延长其服役......
近年来,光电器件产业以及光电研究领域正在迅猛发展,纳米材料所具有的光学特性使其拥有很好的研究前景,在光学领域的应用更为广泛......
随着能源和环境问题的日益加剧,新能源材料的制备和利用亦愈来愈重要。ZnO纳米材料作为一种新型的半导体材料,因其良好的电子传输......
采用循环伏安、模拟电池及AA型MH/Ni实验电池对掺杂铝α Ni(OH) 2 γ NiOOH电化学过程进行了研究 .XRD分析证明掺杂Alα Ni(OH) 2......
期刊
应用密度泛函理论框架下的第一性原理超软赝势平面波方法系统地计算了不同Al掺杂浓度下Mg2 Ge的电子结构及光学性质.建立了四种Mg2......
可充电水系锌锰电池成本低、环保无毒、安全性好,在大规模储能领域具有广阔应用前景.然而,该电池中不仅存在MnO2正极导电率低、结......
宽禁带ZnO是一种新型的化合物半导体材料，具有六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性......
ZnO 是一种Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带结构的多功能材料，为六角纤锌矿结构，具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性，近年来受到广泛关注。Al 掺......
ZnO薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙化合物半导体材料。室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，具备了室温下发射紫外光的必......
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜。结果表明:制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优......
随着半导体、计算机和太阳能等领域的迅速发展，ZnO材料广泛应用于高清平板显示器、透明电极、太阳能电池板和各种光电子设备。 ......
尖晶石型LiMn2O4材料与其他正极材料相比，具有原料资源丰富、可靠的安全性、较低的价格等优点，逐渐成为目前最具有市场发展潜力的正......
本文采用磁控溅射方法在Si衬底和石英衬底上分别制备Al掺杂的Mg2Si半导体薄膜。主要研究的是Al掺杂量、Mg+Al膜溅射时间、退火温度......
学位
随着人们对便携式电子产品和电动汽车等移动设备需求的日益增多，锂离子电池也引起了人们的广泛研究。近年来，高容量锂离子电池正极材......
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体化合物，属于六方纤锌矿结构，在室温条件下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有稳定......
染料敏化太阳能电池(DSSC)因具有成本低廉、制备工艺简便等优点而成为具有很大前景的新型太阳能电池。作为DSSC光阳极材料的SnO_2......
全文主要包括以下方面内容：第一章绪论简单介绍了MgB2超导体的研究背景,分析了目前所存在的主要问题,提出了本文的研究目标和研究内......
通过水热法制备了未掺杂α-MnO2和Al掺杂α-MnO2,对产物的形貌、结构和电化学性能进行了研究.扫描电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTE......
对Al掺杂的ZnO膜(AZO),一般是通过空心阴极气流溅射法,采用Zn-Al合金靶,将它沉积在玻璃上.溅射功率通常固定在1500W,室温下,O2流量......
采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)分别生长了A1掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体,并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响.在相同的工......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa1-xAlx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半......
尽管碳纳米管(CNT)具有优异的结构和功能特性,但是纯的碳纳米管在应用上还受到很多限制。论文基于密度泛函理论的第一性原理,利用......
采用电化学沉积方法在透明导电玻璃表面沉积ZnO薄膜,并采用JSM-6360LV高低真空扫描电子显微镜观察微观形貌,并对其生长行为进行了......
采用MF—PECVD法制备ZnO和高透射率的ZAO薄膜，分析了影响ZnO和ZAO薄膜质量的因素。研究了透射率与衬底温度、沉积时间、锌源浓度以......
采用高温图相法合成尖晶石LiMn2O4．从掺杂AP稳定晶体结构和包覆抑制锰的溶解两方面来改善尖晶石LiMn2O4的高温电化学性能。实验表明......
采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法计算CoSi的电子结构及Si侧Al置换掺杂的CoSi0.875Al0.125的电子结构并分析......
随着纳米器件的进一步微缩，Hf基高k材料已无法满足其发展需求，需要引入新的高k材料．为了减小纳米器件的等效氧化层厚度（EOT），向HfO2中掺......
利用磁控溅射技术在硅片表面上制备铝掺杂类石墨（Graphite-like carbon，GLC）薄膜，采用原子力显微镜、场发射扫描电镜、X射线光电子能谱......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置......
采用液相沸腾回流法，制备出不同含量Al元素掺杂的ZnO半导体材料，并对产物进行了XRF，XRD，SEM及其导电性能的表征．实验结果表明：Al元素掺杂......
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜.通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性......
通过交变电场下的紫外光响应测试,观察到ZnO基薄膜在254 nm紫外光激发下的慢响应现象,并测量了响应时间常数。为提高ZnO基薄膜紫外......
采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜......
采用共沉淀-高温烧结法制备富锂正极材料Li[Li0.20Ni0.20-x/2Mn0.60-x/2]AlxO2（x=0,0.03,0.06,0.09）,考察掺铝量对材料结构及电化学......
对Al掺杂4H-SiC中激发态对杂质电离的促进作用，与温度和掺杂浓度的关系进行了系统研究。发现促进作用随掺杂浓度的提高而增强，并且温......
