ZNO纳米棒阵列相关论文
氧化锌（ZnO）是一种非常重要的直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37 e V,较大的激子束缚能（60 me V）,具有良好的光电特性、易......
ZnO作为一种典型的第三代半导体,凭借其3.37 e V的禁带宽度和60 me V的室温激子束缚能,成为非常有潜力的短波长半导体发光器件的候......
以不同热处理温度下制备的ZnO籽晶层为基底,采用水热法生长ZnO纳米棒阵列,对制备得到的ZnO纳米棒阵列的相结构和微观形貌以及发光......
在人类文明的快速发展过程中,随着自然资源的严重损耗,能源危机和环境问题变得不可避免。由于绿色、环保和经济的特点,光催化技术......
紫外光探测器目前已广泛应用于空间通信、环境监测、航空航天、化学分析等多种领域,研究具有良好性能的紫外光探测器很有必要。单......
紫外探测技术在空间通讯、污染监测以及生物医学领域都有着广泛应用,已经成为一项新型军民两用技术。与传统商业使用得光电倍增管......
采用水热法制备了Er3+掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光......
Cu_2ZnSnS_4(CZTS)禁带宽度为1.5 eV,在可见光区具有很高的光吸收系数(>104cm-1),同时具有绿色、廉价等优点。Cu_2ZnSnS_4胶体量子......
ZnO一维纳米材料因其优异的光电性质成为当前ZnO材料研究中的热点之一。利用纳米生长技术使光学活性半导体生长为纳米柱阵列,从而......
作为一种新型的太阳能电池，染料敏化太阳能电池(DSSC)因其低成本、高转换效率以及相对于传统的硅电池较为简便的制备工艺而受到广泛......
ZnO作为直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60 meV，在蓝紫光发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）、光电探测器等短波长光电......
随着传统化石能源的消耗,发展新能源已经成为世界性的重点研究课题。将太阳能转变为电能的光伏器件就是其中重要的研究课题之一。......
自1991年染料敏化太阳能电池(DSSC)问世，便成为太阳电池领域研究的热点，为提高电池的效率，科研人员作了大量研究。不论是对于传统的液......
以ZnO纳米棒阵列为研究对象,通过在晶种层中添加表面活性剂来改善水热合成ZnO纳米棒阵列的形貌、结构及其发光性能。结果表明:当添......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用两步法,即先用磁控溅射在Si(100)表面生长一层ZnO籽晶层、再利用液相法制备空间取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微......
通过改进传统水热法的密闭、高压的条件,在非密闭、常压环境下在氧化铟锡玻璃衬底上自组装生长了取向高度一致并且分散性好的ZnO纳......
采用两步法,即先用磁控溅射在Si(100)表面生长一层ZnO籽晶层、再利用液相法制备空间取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用扫描电子显微......
基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚......
ZnO纳米棒阵列是近来研究较多的光催化剂,通过银等贵金属修饰可提高光催化活性。以硝酸锌和六亚甲基四胺为前驱物,通过优化水热合......
采用简单的化学溶液生长法,在Ag棒表面包覆生长一层ZnO纳米棒阵列.利用该结构光电催化降解罗丹明B,其效率远高于电降解和自降解,约......
采用恒电位电沉积方法，在未经修饰的ITO导电玻璃基底上通过控制实验条件制备出不同形貌的纳米ZnO结构，而在经过ZnO纳米粒子膜修饰后......
利用湿化学法在FTO玻璃基底上制备了高度规整的ZnO纳米棒阵列（ZnO NRAs）,以此为衬底,采用磁控溅射法在ZnO NRAs表面沉积Cu2O薄膜。分......
采用水热合成方法制备了ZnO纳米棒阵列，并对水热过程中ZnO纳米棒阵列形貌的影响因素进行了考察，发现高浓度的前驱液和籽晶层辅助生长......
利用化学水浴法在预先制备的聚酰亚胺（PI）/ZnO薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对ZnO纳米棒阵列进......
在低温条件下,采用化学溶液沉积法（CBD）生长出ZnO纳米棒.探讨了反应的最佳温度,并在最佳实验条件下成功在光滑的玻璃衬底上制备了近......
采用CBD两步生长法制备ZnO纳米棒阵列，分别选择ZnO粉末，历粉以及醋酸锌（Zn（OOCCH3）2·2H2O）低温分解的ZnO纳米颗粒作为晶核层．结果表......
为了提高大功率LED的光抽取效率，采用溶胶-凝胶法、水热生长法的两步生长工艺在大功率红光发光二极管（LEDs）表面制作ZnO纳米棒阵列结......
采用水热合成法制备了ZnO纳米棒阵列。利用SEM和XRD对ZnO纳米棒的形貌和物相结构进行了表征。研究了光照时间、pH、ZnO投加量等因......
采用电化学方法在铟锡氧化物（ITO）导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列，在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基......
采用两步低温水热法在Si片衬底上制备形貌规整的ZnO 纳米棒阵列，纳米棒长度约为5μm 。利用扫描电镜（SEM ）、PL光谱测试对ZnO纳米棒的......
以硝酸锌和六亚甲基四胺为主要原料，采用简单、低温的水热法在预先用金红石二氧化钛薄膜修饰过的硅基体上生长了高取向性的ZnO纳米......
通过预加热处理完成了氧化锌（ZnO）种子层的制备,在种子层退火之后利用水浴法生长制备了排列有序的ZnO纳米棒阵列.采用扫描电子显微镜......
通过水热法以Zn（CH3COO）2、次六甲基四胺（HMT）和NH3·H2O作为原材料，以Zn片作为锌源，通过改变原材料的用量比、反应时间、反应温度等......
采用化学溶液沉积法，在经ZnO纳米粒子膜修饰的FTO导电玻璃基底上制备了ZnO纳米棒阵列，探讨了生长液浓度对ZnO纳米棒阵列形貌和光学性......
云计算与物联网等信息技术的飞速发展,对半导体存储器提出了“更高密度、更快速度、更低功耗”的要求。然而目前Flash存储器存在操......
通过一步电沉积法在不锈钢网基底上制备ZnO纳米棒阵列,然后采用水热法在ZnO纳米棒上包覆C,制得C/ZnO纳米复合结构。借助SEM、XRD、......
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱......
探索开发清洁可持续能源以及新技术以解决日益严重的环境污染问题和能源消耗危机逐渐成为全球关注的焦点。以ZnO为代表的传统半导......
利用微波水热法在316L不锈钢片基底上制备一维ZnO纳米阵列/氧化石墨烯(ZnO/GO)复合材料,借助SEM、TEM、UV-Vis及可见光光照下的恒......
本文系统地比较了三种方式制备的ZnO纳米棒阵列的结构和性能的异同。根据水热法生长液中碱来源的不同,ZnO纳米棒阵列的生长方式分......
一维氧化锌(ZnO)纳米材料比表面积大、具有独特的光、电和化学特性,同时一维ZnO纳米材料合成成本低、可控性和生物相容性好,这些特......
紫外光探测器被广泛应用于通信、航天、环境监测、化学分析以及医疗器械等领域,具有非常重要的研究价值。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族元素形......
六方纤锌矿结构的ZnO材料由于其具有独特的电学和光学性能,在压电、气体传感器、光电器件等领域有广泛的应用。本文采用Sol-gel法......
通过70℃水热反应制备高密度排列的Zn1-xCoxO（x=0.05,0.10和0.15,统记为ZnCoO）纳米棒阵列,用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FES......
使用简单的水热法在锌片上生长ZnO纳米棒阵列,并用电化学共聚制备了ZnO纳米棒阵列与聚噻吩（Zn/ZnO/PTH）复合膜。通过X射线衍射（XRD）、......
采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列，其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD（Pulsed Laser Deposition）的方法......
