x)Mn_xTe相关论文
在１３～３００Ｋ温度下研究了稀磁半导体ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格的喇曼散射，观测到多个声子喇曼峰．在近共振条件下，峰的强度增强，线宽显著变窄，并观测到更多不同声子组......
以MnTe—CdTe伪二元相图为基础,分析了单晶生长过程中的分凝特性及扩散规律,从成分过冷的角度讨论了生长界面的稳定性,最后就生长......
研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温......
在0～42kbar范围内测量了CdTe的吸收边随流体静压力的漂移。在33～35kbar之间,观察到一个结构相变,在此后直到42kbar范围内,在5800～250......
For the Mn-substituted CdTe semiconductors, the anomaly of the concentration-independent optical absorption edge at abou......
The transverse magnetoresistance in semimagaetic semiconductor Hg1-x MnxTe has been studied with the aid of the Vander ......
美国印第安纳州普杜大学物理系J.K.Furdyna在《SPIE》Vol.409(1983)上介绍一种新型材料Hg_(1-x)Mn_xTe,并将它与大家熟知并公认为......
本文介绍了HgMnTe、HgZnTe等新型红外探测器材料的特性,与传统的HgCdTe合金材料的性能进行了比较,指出这些新型红外探测器材料是有......
室温下测量了本实验室生长的Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.9Mn0.1Te单晶体的法拉第旋转谱。通过提高布里渊区中心L点的能隙值(E1)改进了法拉......
