Ⅲ-Ⅴ族半导体相关论文
超高真空扫描隧道显微镜（Ultra-high vacuum scanning tunneling microscope,UHV STM）是研究半导体表面形貌结构的重要表征技术。它......
半导体光调制器波导的输出模斑通常是直径为2~3μm的椭圆形,与光纤进行耦合时会因模斑不匹配而产生严重的耦合损耗,并影响对准容差......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体如Ⅲ族氮化物和Ⅲ族砷化物等均为直接带隙半导体,其优异的化学稳定性、光电性质和电学性质使其成为了照明、通......
通过对两种结构参数与设计偏差较大的带间级联激光器(ICL)的研究,探讨了器件性能在结构变化下的耐受性.在300 K时,即使和4.6μm的......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有禁带宽度小、载流子迁移率高、激子玻尔半径大、光电转换效率高等优点，是极具应用价值的一类半导体材......
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,......
采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的Ga N的结构、形貌进行表征和分析,使用......
以GaN和(GaIn)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影......
量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散......
采用室温下微区Raman散射方法，观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模，由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v，从而使禁戒的TO模......
在室温和低温液氮下,研究了有序和无序Ga0.2In0.48P的时间分辨发光谱.对实验结果的拟合表明,有序Ga052In0.48P的发光呈双指数规律......
论述了Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的制备与尺寸控制，其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法，化学法包......
微纳制作技术和微纳加工技术的不断突破,极大地促进了低维半导体材料在微电子和光电子领域的应用。随着科学探索不断进步,人们对低......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是制作固体发光器件的重要材料。随着与氮有关的化合物半导体在短波发光器件（如蓝色发光二极管和紫色激光器件......
随着半导体产业的发展,硅基MOS器件的尺寸缩小遇到了很多困难,制造工艺也遇到很多挑战,因此半导体必须向新材料和新器件的方向变化......
作为一种新型材料,半导体纳米线在揭示物理学基础理论以及光电子器件新应用等方面展示着巨大的潜力。作为纳米结构,由于尺寸受限所......
以GaAs或GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）被普遍认为是最有发展前途的高速电子器件之一。HEMT器件的性能主要依赖......
近年来，Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线因其高的电子迁移率，大的波尔激子半径而引起广泛关注。目前Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线主要通过金属有机物化学......
氮化镓是Ⅲ-Ⅴ族半导体中最重要的材料之一，有着极其优良的发光性质和半导体性质。在一维氮化镓纳米材料的制备方面，已经发展出了许......
介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问......
