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氚作为氢的同位素,是重要的发光标记物质,也是核聚变原材料之一,而增殖剂是生产氚的唯一原材料。Li2TiO3具有良好的化学稳定性和释......
玻璃体在玻璃化转变温度附近的结构变化问题和弛豫行为的研究是当今科学界非常重要的热点和难题之一,由于玻璃化转变温度附近的结......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体如Ⅲ族氮化物和Ⅲ族砷化物等均为直接带隙半导体,其优异的化学稳定性、光电性质和电学性质使其成为了照明、通......
氧化锌(ZnO)作为一种ⅡB-ⅥA族的直接带隙半导体，带隙宽度达到3.4eV，近紫外的带宽使得ZnO薄膜可以透过可见光。通过Ⅲ族元素或Ⅳ族元......
利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了Cu薄膜在Cu（100）面上的三维生长过程．模型中考虑了四个动力学过程：原子沉积、增原子迁移、双原子迁......
随着尺寸的进一步微型化和载荷严酷化,集成电路(IC)封装焊点必将遭遇原子迁移这一可靠性瓶颈。铜柱形凸点是一种新型的、超高密度......
研究具有弯折结构的铜微互连线在不同条件下的原子迁移现象,基于原子通量散度理论构建了结构-热-电耦合的多物理场有限元模型,静态......
采用分子动力学方法计算了单个砷原子在砷化镓（001）β2（2＆#215;4）富砷表面迁移的势能面，研究了砷原子在该表面上的迁移行为。结果表明，在......
从电场理论和热动力学理论出发,研究了电热耦合场中柱形铜凸点的原子迁移失效的形成过程,并运用ANSYS软件建立了有限元分析模型,对......
