二次击穿电流相关论文
NMOS管I-V曲线在ESD（electrostatic discharges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB......
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量......
静电损伤失效可能是热击穿（电流）造成的结或金属布线熔融失效，也可能是强电场（电压）诱发的介质失效，文章主要从电流热击穿方面探讨了静电......
针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计......
随着半导体芯片的制造工艺不断改进以及特征尺寸的减小,集成电路日益向小型化和高密度化发展,很容易遭受到静电放电(ESD)的影响。......
针对双向可控硅（DDSCR）器件的静电放电（ESD）鲁棒性,提出在N阱中加入N＋注入区（DDSCR_N＋）和在N阱中加入P＋注入区（DDSCR_P＋）2种改进型DDSCR结构,采......
