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发光二极管（LED）因具有节能、环保和寿命长等优势在显示、照明和背光驱动等领域得到了广泛应用,有助于我国实现碳中和目标。LED是一......
集成电路从最初的小规模发展到现在的超大规模,芯片的性能不断增强的同时,芯片产品向智能化以及系统集成化发展的趋势也越发明显,......
传输线脉冲（TLP）测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理......
基于已有的传输线脉冲发生器(TLP)与IEC 61000-4-2应力的等效关系,提出一种以TLP应力作为输入的系统级模型分析方法。与传统的IEC......
基于0.18μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法。采用传输线脉冲测......
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD......
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维......
针对静电放电(ESD)防护过程中ESD防护器件开启速度慢、易引起栅氧击穿或电路烧毁的问题,提出了一种可控硅(SCR)结构的ESD防护器件......
通过二维器件仿真,分析单指、多指18V nLDMOS器件在静电放电防护中电流分布的非均匀性问题。经仿真分析可知,寄生三极管的部分导通......
随着半导体工艺技术的飞速发展,集成电路(IC)的集成度越来越高,电过应力(EOS)对其造成的影响也越来越大。针对IC产品进行合适的EOS......
系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护,缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结......
为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅（SCR）的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS-SCR）器件静电放电（ESD）防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS......
静电放电(ESD)已成为影响集成电路(IC)及电子产品可靠性的一个主要因素。虽然传统CMOS工艺IC产品的ESD防护已得到密切关注与广泛应......
针对双向可控硅（DDSCR）器件的静电放电（ESD）鲁棒性,提出在N阱中加入N＋注入区（DDSCR_N＋）和在N阱中加入P＋注入区（DDSCR_P＋）2种改进型DDSCR结构,采......
