二类超晶格相关论文
双波段红外探测器是第三代焦平面探测器发展的重要方向之一，二类超晶格材料由于其优异的光电性能而成为制备双色红外探测器的优选材......
近年来InAs/GaSb二类超晶格材料成为红外探测器的主要材料,InAs/GaSb二类超晶格形成的异质结是一种间断的排列,当吸收垂直入射红外......
III-V族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色，近年来越来越受到人们的瞩目，特别是 InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外......
近几年,二类超晶格红外探测器在材料生长、器件结构设计、器件制备上经历了快速的发展,使得二类超晶格成为除碲镉汞外最受关注的红......
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元，其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSb II......
运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类......
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSbⅡ......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为了验证二类超晶格红外探测器的性能,设计了探测器的驱动电路.因红外探测器的灵敏度高,设计了低噪声电源偏置电路,优化了电路板的......
采用分子束外延工艺方法生长的InAs/GaSb二类超晶格材料因其独特的能带断带结构,极大地降低了俄歇复合暗电流,且其较大的电子有效......
近年来InAs/GaSb二类超晶格红外探测器在材料晶体结构生长、器件结构设计与成像应用方面取得了飞速发展。尤其在多色红外探测方面,......
热电器件由于结构简单、可靠性好、无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值（ZT）的新材料是近些年来......
研究了不同腐蚀溶液体系下铟砷镓锑（InAs/GaSb）二类超晶格材料的湿法腐蚀工艺。根据腐蚀效果选择了由柠檬酸（C_6H_8O_7）、磷酸（H_3PO_4）......
红外成像系统在工业、农业、医疗和国防等领域具有广泛应用前景。探测器材料及其制备技术的发展有效地促进了探测器性能的提升。二......
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本文利用傅里叶红外光谱仪等手段对InAsSb以及InNSb薄膜的远红外反射光谱以及光电流响应光谱等进行了研究，同时还利用波长可调谐的......
<正>红外材料和器件的发展决定了红外技术的发展水平。实现高性能和低成本的红外探测器技术,既是红外技术自身发展的必然,也是一个......
运用包络函数模型和传输矩阵方法计算了二类超晶格的能级结构.考虑到InAs与InxGa1-xSb结合存在应变,在计算中InAs/InxGa1-xSb二类......
