俘越二极管相关论文
尽管半导体市场出现了萧条不景气的景象,然而固态研究规划却使其继续向前发展。尤其是微波研究人员在双极晶体管、场效应晶体管和......
在以击穿电压V_b和结电咨C_j(-60)作为器件低频参数的基础上,研究了器件低频参数与高频性能的关系,增添电容比C_r(=[C_j(-1)]/[C_j......
微波频率下的高峰值功率能从几种半导体器件(如耿二极管、限累二极管、俘越二极管等)中产生,但是,其中某些器件只有很少量能脱离实......
本文提出了一个俘越器件的简化电压、电流波形,并且进行了分析;建立了器件参数与二次谐波阻抗的联系;求得了二次谐波抽出俘越振荡......
用两个和三个费尔查尔德的FD-300二极管串联,以俘越模式工作在大约500兆赫时,其结果如表Ⅰ所示。一般串联二极管在高电流下比单个......
本文简要介绍近20年发展起来的时域电磁学。分六节:引言,波形的产生,时域度量技术,天线,时域特征分析和应用。从这些浅显易懂的介......
