整流特性相关论文
金刚石与氧化锌（ZnO）都是非常重要的宽带隙半导体材料，具有许多优异的化学和物理性质，两者组成的复合结构在半导体异质结、生物电极和......
近年来,电阻式随机存储器（Resistive Random Access Memorizer, RRAM）由于结构简单、耗能低、存储密度高以及与半导体CMOS工艺兼容性......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
本论文利用磁控溅射法制备了钙钛矿锰氧化物(La1-xSrxMnO3,La1-xCaxMnO3)基异质p-n结,并主要研究其电学、磁学性能。主要工作包含......
以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行表征与结构分析。结果表明......
近年来,分子器件的研究已发展成为科技界极具竞争力的新兴研究领域之一,较传统行业的电子技术相比较,它具有更快,更小,更冷的优势,......
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48A......
用等离子增强化学沉积方法在柔性不锈钢(stainlesssteel—SS)衬底上制备了n-i-p非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，重点研究了叠层电池隧穿......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学陛质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
碱土金属(如Sr，Ca)掺杂的钙钛矿锰氧化物属于典型的强关联电子体系。其中，由于电荷，自旋，轨道自由度之间强烈的耦合作用，表现出庞磁电阻......
具有纤锌矿结构的ZnO是一种直接宽带隙的n型半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.4eV，激子结合能高达60meV，这些独特的性质引起了人们......
在生命体内存在的一维的纳米通道结构在生物结构和功能方面发挥着重要的作用，其中最典型的代表是生命体内的离子通道。科学家在对自......
本论文研究工作是围绕课题组承担的国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No：2010CB327600)、国家自然科学基金重大国际(地区)合......
最近,半导体基磁电阻器件的研究由于其在电子工业一体化中有着长远的应用前景和学术意义而倍受人们的关注。本文主要研究了关于硅......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学性质，如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性，可进行n型掺杂也可进行p型掺杂。在......
本论文首先介绍了分子器件、分子整流器的研究背景、国内外发展现状、主要的研究方法及基本理论。在此基础上,我们重点研究了分子......
分子电子学具有在分子尺度构建逻辑电路的可能,是未来信息技术发展的最佳载体,分子整流器是实现分子电子线路的基本元件,且具有重......
学位
2004年，Novoselov等人成功制备出石墨烯，为发展高性能碳基纳米电子器件提供了新的契机，目前石墨烯在电子学中的应用研究已成为其高端......
本文利用磁控溅射法通过改变衬底温度成功制备出La0.8Sr0.2 MnO3/TiO2异质P-N结.当衬底温度升高时,LSMO/TiO2异质PN结表现出相对较......
采用磁控溅射法在Si衬底上通过改变沉积顺序制备两类异质PN结:La0.8Sr0.2MnO3/TiO2和TiO2/La0.8Sr0.2MnO3,并时其进行电学性能研究......
利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对......
采用磁控溅射方法,首次在n型Nb0.01SrTi0.99O3单晶衬底上成功制备出La0.7Sr0.3MnO3/Nb0.01SrTi0.99O3异质p-n结.电学性能测试表明,......
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO2/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO2/GaAs异......
利用射频磁控溅射制备p-CuCr0.91Mg0.09O2／n-Si异质结。XRD结果表明所制备的纯相CuCr0.91Mg0.09O2薄膜具有（012）取向生长特点，正的霍尔......
从多孔硅的最基本的器件结构—金属／多孔硅／硅入手，研究这种结构的电学性质：整流特性，对进一步理解和提高多孔硅的电致发光和多孔硅在其......
在绿波协调控制交叉口群中,绿波段前沿交叉口对于交通流具有整流特性.针对单一交叉口延误计算方法对交叉口群整流特性考虑不足的问......
采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电......
在温度0℃下，采用阳极氧化法分别在15％wt的硫酸水溶液、0．3mol／L的草酸水溶液和0．3mol／L的磷酸水溶液中制备了多孔氧化铝薄膜．电压分别为1......
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si......
利用水热法在硼掺杂金刚石膜上生长铕（Eu）掺杂Zn O纳米棒（Zn O：Eu）,其形貌与Eu的掺杂量密切相关。掺杂0.01 mol/L Eu时对Zn O纳米棒生长......
以无机多孔氧化铝膜为模板,利用气相沉积和原位电化学沉积方法成功地制备了有机-无机杂化聚吡咯/硫化镉核壳纳米线;采用扫描电子显......
采用阳极氧化法，制备了二维有序多孔氧化铝薄膜。用金相显微镜观察了一次阳极氧化和二次阳极氧化后多孔氧化铝的表面形貌。用X射线......
凝汽器循环水二次滤网后水流的均匀性对循环水入口水室内流场的影响很大。应用数值模拟方法，对加装不同开孔率的循环水二次滤网的整......
为研究凝汽器循环水二次滤网对循环水流场结构的影响，设计并搭建了一套完整的凝汽器水侧二次滤网实验台，针对冲孔型和井字型两种形式......
采用电化学阳极氧化法在钛片表面构筑了一层结构有序、纳米级的TiO2纳米管阵列膜层,考察了制备电压对TiO2纳米管阵列形貌和尺寸的......
利用脉冲激光沉积技术在Nb：SrTiO3（0．8wt％，0．05wt％）基片上生长了外延的La1.875Sr0.125CuO4薄膜，并在此基础上制备了异质结．异质结在很宽的温......
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,复合体系的PL同时......
对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO，和引入SrMnO，（SMO）阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO，进行了比较。对薄膜结构用X射线衍射试......
利用磁控溅射法制备了La_（0.96）Sr_（0.04）MnO_3/SrNb_（0.01）Ti_（0.99）O_3异质p-n结,研究了20-300 K温度范围内该p-n结的伏安特性,在20-300 ......
钙钛矿结构氧化物(ABO3)包含一系列重要性质,如介电、铁电、压电、热电、光电、超导、巨磁电阻及光学非线性等特性和效应.Jin等人......
采用浸渍法在硅纳米孔柱阵列（Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA）衬底上制得了一系列金/硅纳米孔柱阵列（Au/Si-NPA）,不同Au/Si-N......
采用磁控溅射法制备的La1-xSrxMnO3(LSMO)/TiO2异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加,扩散电......
利用磁控溅射方法改变衬底温度,制备了一系列NiO:Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,当衬底温度从室温升高到300℃时,NiO:Cu/ZnO异质pn......
通过理论分析二极管的形成过程,了解半导体硅pn结正向导通电压;利用数字万用表描绘出硅pn结的伏安特性曲线,得知pn结的正向导通、......
提出一种翼型网板条搭接型凝汽器循环水二次滤网,并采用数值模拟方法研究了不同搭接角度翼型二次滤网的流动性能。结果表明:翼型二......
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期刊
采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致......
