报道锗硅合金在λ＝１．３μｍ的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果．这种光波导的传播损耗已达０．７ｄＢ／ｃｍ．脊形的高４～８μｍ，宽８～１２μｍ，均和单模光纤芯径相当．此外，其......

报道用射频加热化学汽相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波......

研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃......

根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验......

给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线......

介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能......

移动通信、GPS、雷达及高速数据处理系统等的高速发展对半导体器件的性能，如截止频率、功耗和成本等提出了更高的要求。相对于Si器......

本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si1-xGex层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以......

三元系出Si1-x-y GexCy合金以其独特的性质引起人们的普遍重视。碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。它改......

制作了基区Ge组分分别为0．20和0．23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管（HBT）。实验结果表明，基区Ge组分的微小增加，引起了......