横向绝缘栅双极型晶体管相关论文
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT）器件因其耐压能力......
单片智能功率芯片具有高低压兼容、集成度高以及寄生参数小的特点,广泛应用于中小功率家用电器领域。厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双......
单片智能功率芯片将逻辑电路、信号处理电路、驱动电路、保护电路及功率器件等集成在一块芯片上,可实现对电机的高效、快速、准确......
学位
相比于传统智能功率模块,单片智能功率芯片具有更低损耗、更小体积及更丰富的控制与保护功能,广泛应用于各类电机驱动和电源应用中......
功率集成器件在交流转直流(AC/DC)电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件......
绝缘体上硅（Silicon on Insulator，SOI）横向绝缘栅双极型晶体管（Lateral Insulated Gate BipolarTransistor，LIGBT）具有耐压高、驱动电流......
SOI(Silicon On Insulator)技术被誉为二十一世纪高速、低功耗的硅集成电路主流技术，是功率集成电路(Power Inegrated Circuit，PIC)......
提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）。该LIGBT在漂移区采用了超结（sJ）结构，并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅......
研究了横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处......
单片智能功率芯片因其低损耗与小体积等优势,广泛应用于各类电机驱动与电源应用中。绝缘体上硅型横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon ......
相比于传统智能功率模块,单片智能功率芯片将控制模块和功率器件集成在一起,大大减小了芯片体积,实现整机系统的微型化和智能化。......
功率半导体器件是电力电子技术的核心,在电力能源输送应用的过程中,发挥着极其重要且无可替代的作用。发展功率半导体器件,不仅是......
智能功率驱动芯片是一种将驱动电路、功率器件、传感器及各类保护电路集成在一起的功率芯片,特别适用于各类电机及逆变型电源,具有......
