内建自修复相关论文
三维集成电路是指利用硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为电学连接,将多个同质、异质的芯片或电路模块在垂直方向上堆叠起来,共......
嵌入式存储器因其高带宽、低功耗、硅面积开销小等优点被广泛应用于片上系统(SoC),预计在2014年,嵌入式存储器在SoC中的硅面积占有......
传统BIRA结构存在多次地址比较的问题,严重影响了存储器的修复速度与读写性能。为了解决这一问题,提出了基于布鲁姆过滤器的BIRA技......
现有存储器内建自修复方法要么遍历式地址比较效率低,要么并行地址比较功耗高,都不适用于大故障数存储器.对此,本文提出一种高效的......
三维存储器成品率是评价冗余共享策略的一个重要指标。为了提高三维存储器的成品率和冗余资源利用率,提出了一种全新的故障交叉聚......
提出一种检测和修复有缺陷TSV的内建自测试（BIsT）和内建自修复（mSR）的方法。采用BIST电路测试TSV,根据测试结构，采用BISR电路配置TSV映......
使用冗余行覆盖占故障总数70％的单故障，导致冗余资源的浪费．为提高冗余资源的利用率，提出一种高效的修复方案，即冗余行覆盖多故障，纠错码......
在摩尔定律面临终结的趋势下，三维集成电路技术被认为是继续提升集成电路性能和集成度的重要技术途径之一．由于采用堆叠的结构，三维集......
随着缺陷密度的增加,在存储器中设计冗余行或冗余列替换有缺陷的存储器单元已成为提高存储器成品率的常用方法.然而基于冗余行或冗......
嵌入式存储器在SoC技术中逐渐成为主体设计结构,由于存储器存在成品率的问题,所以在存储器中设计了内建自测试和内建自修复的策略......
随着集成电路设计和制造技术的不断进步,嵌入式存储器在芯片内部所占有的比例越来越高。由于嵌入式存储器中晶体管密度日益增加,内......
嵌入式存储器的内建自测试及修复是提高SoC芯片成品率的有效办法。详细描述了存储器良率的评估方法,提出了一种基于Mentor公司Tess......
随着超大规模集成电路的迅速发展，90纳米技术已经应用，上千万门的集成电路已经产生。一方面，芯片封装越来越小，引脚越来越密，印制电路板......
与2D存储器相比,3D存储器能够提供更大的容量、更高的带宽、更低的延迟和功耗,但成品率低。为了解决这个问题,提出一种有效的3D存......
硅通孔能够将硅片进行垂直互连,极大的减少了堆叠芯片中的互连线长度,提高了芯片集成密度和带宽,降低了系统功耗。三维存储器是三......
