刻蚀时间相关论文
激光具有能量高、易操作、可控性好、以及非接触辐照加热不易引入污染等特点，激光辐照单晶硅可以对其表面进行改性并形成微结构......
本文以p型单晶硅片为原材料,选用金属辅助化学刻蚀法中的“两步法”制备得到形貌均一、与硅衬底结合紧密的硅纳米线。随后以高氯酸......
通过不同的source power和bias power比例,以及SF6,Cl2和02比例和腔室真空度与刻蚀均一性方面的关系,然后选取均一性最好条件,......
利用俄歇电子能谱仪(AES)对不同时间过电流下的铜导体进行了深度刻蚀,结果表明在不同时间过电流下的铜导体样品表面都含有Cu、O、C......
该文利用稀土化合物浆料对CVD金刚石厚膜表面进行刻蚀.研究了不同刻蚀温度和刻蚀时间对刻蚀效果的影响.总结了刻蚀作用的主要过程.......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜。利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪对其进行表征,......
将光刻胶涂敷在带有ITO薄膜的玻璃表面上,利用紫外光对其进行光刻,通过金相显微镜观察刻蚀后的ITO表面形貌,定性地讨论各个工艺的......
目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜（ta-C）的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。......
