化学气相传输相关论文
三元硫属化合物Pb2P2Se6晶体因具有优异的光电性能,在光电领域受到广泛关注。然而,由于P元素易燃易爆等特点导致其难以合成。本文......
近年来受到摩尔定律限制的CMOS技术的复兴需要新材料的发掘。二维层状半导体由于其原子薄体的特性促使二维半导体材料的快速崛起,......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
硼烯作为全新的单元素类石墨烯二维纳米结构吸引了人们的关注,由于硼元素独特的原子特性,其拥有着极为丰富多变的结构,有着发挥出......
立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料.理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散......
随着科学技术的飞速发展,稀土的应用逐渐由传统市场转向高技术市场,被广泛应用于高科技材料领域,单一高纯稀土已成为高新材料的基......
利用化学气相传输法制取无水LaBr、LuBr.以稀土氧化物为原料与铝粉及溴单质直接进行反应,可得到LnBr与AlO的混合物,当铝与溴过量时......
利用化学气相传输法制取无水稀土溴化物LaBr3、GdBr3和LuBr3。以稀土氧化物为原料与铝粉及溴单质直接进行反应，可得到LnBr3与Al2O3......
基于稀土氯化物在高温时与KCl生成气态配合物KRECl4的热力学行为差异,将稀土氯化物和KCl按摩尔比1∶1混合,另将稀土氧化物、NH4Cl......
基于不同稀土氯化物在高温与AlCl3生成气态配合物LnAlnCl3n+3的热力学行为不同,利用化学气相传输法研究了二元相邻混合重稀土氧化......
立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散......
研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手......
以化学气相传输法制取无水ＥｕＣｌ３，ＥｒＣｌ３和ＬｕＣｌ３。稀土氧化物为原料，无水氯化铝为氯化剂和传输介质。Ｌｎ２Ｏ３与过量的氯化铝在３００℃反应，生成ＬｎＣｌ３。ＮｎＣｌ３-在高温与氯化铝反......
以气态配合物LnAlnCl3n+3(Ln=镧系元素)为载体，研究了从氟碳铈矿精矿中提取分离稀土元素的分步氯化-化学气相传输反应。精矿加热至8......
报道以化学气相传输法制备无水LuBr3.以稀土氧化物Lu2O3为原料,与铝粉及溴直接进行反应,可以得到LuBr3和Al2O3的混合物.当铝与溴过......
报导了制备无水纯ErBr3的化学气相传输法.Er2O3为原料,无水溴化铝为溴化剂和传输介质.Er2O3与过量的溴化铝反应,生成ErBr3(s).ErBr......
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶．通过控制源区和生长端的温度梯度，使用碳辅助增强质量传尊挚应，在无籽晶自发成核的条件下，得到了晶......
以KCl为络合物配体,研究与Y2O3离子半径十分接近的Dy2O3、-Ho2O3和Er2O3的分离特性以及重稀土氧化物Ho2O3-Er2O3,Er2O3-Tm2O3,Tm2O......
以气相传输(CTV)方法首次合成出具有四角锥形貌的三元立方相化合物MnIn2S4。通过XRD测试显示这种特殊形貌的MnIn2S4属于立方晶系。......
借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核......
化学反应气相传输涂层是一种表面涂层新技术,用这种方法制备出了致密的FeCrAlTi高温抗氧化涂层,对涂层的性能进行了初步测试.结果......
钨及钨基材料以其优异的性能在工业、军事、科研等领域占据了重要地位。但是,钨所具有的本征脆性大大制约了其应用,而一维线状纳米......
以气态配合物LnAlnCl3n+3(Ln=稀土元素)为载体,研究了从氟碳铈矿-独居石混合精矿中提取分离稀土元素的分步氯化?化学气相传输反应.......
在900~1100℃温度范围内,氢气还原纯WO3粉会出现明显的W晶粒长大现象。为了有效抑制W晶粒长大,在WO3粉中添加10%~40%(质量分数)的......
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶。在无籽晶自发成核的条件下，使用碳辅助增强质量传输方法，得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶......
以KCl为络合物配体,研究与Y2O3离子半径十分接近的Dy2O3 、Ho2O3和Er2O3的分离特性以及重稀土氧化物Ho2O3-Er2O3、Er2O3-Tm2O3、Tm......
以化学气相传输法制取无水LaBr3、GdBr3和LuBr3。以稀土氧化物为原料,与铝粉及溴直接进行反应,可得到LnBr3和Al2O3的混合物。当铝......
以化学气相传输法制取无水LuCl3 。Lu2 O3 (s)与Al2 Cl6 (g)在 30 0℃反应生成LuCl3 (s)。反应完成后 ,利用 40 0～ 1 80℃的温度梯......
双金属硫化物,它具有多变的组成和丰富的空间结构,该体系作为一个历史悠久的研究领域,经历多年的变化发展,现已进入一个崭新的时代......
ZnO是一种直接带隙的宽禁带化合物半导体材料,其室温下禁带宽度约为3.37 eV。室温下ZnO的激子束缚能为60 meV,这远高于室温下26 me......
