区熔再结晶相关论文
该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼......
在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅......
采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中给出了用X射......
近年来，随着可持续发展，环境保护等观念的深入人心，以及常规化石能源的日渐枯竭，太阳电池研究的主要任务转到了如何成为替代能源的方向......
为了降低成本,加快太阳电池的产业化进程,发展薄膜太阳电池是光伏界研究的热点。本文主要研究陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池的制备......
从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以......
在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其......
研究了区熔再结晶(ZMR)设备及其工艺特点.在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶......
